1.5萬億美元,存儲巨頭下場"救市"
從左到右依次為美光CEO桑傑、叁星電子會長李在镕以及SK集團會長崔泰源。
內存價格正在經歷壹輪凶猛的上漲。
美國投行Jefferies最新預測，2026年第叁季度內存價格環比要漲40%到50%，第肆季度再漲30%到40%。隨後，2027年全年同比上漲40%至45%，且漲勢至少延續到2028年才會放緩。
供應端，全球叁大DRAM（動態隨機存取存儲器）制造商叁星、SK海力士和美光的現有產能已經吃緊，當前總產能的壹半還被“長期協議”鎖死。
擴產也在同期進行。
美光此前已經在美國等市場投資超過1500億美元新建產能。叁星電子和SK集團日前也共同宣布了壹項圍繞半導體和人工智能基礎設施的拾年期投資計劃：總規模2000萬億韓元，約合1.3萬億美元。叁家存儲原廠合計投資預計超過1.5萬億美元。
巧合的是，由於叁巨頭占據90%以上的市場份額，也引來了反壟斷訴訟。美國律所Hagens Berman指控它們合謀操控價格，人為制造短缺。
01 存儲原廠開始“燒錢”
根據當地媒體的報道，叁星和SK集團的人工智能基礎設施項目投資項目分散在半導體、顯示、電池和數據中心等多個領域，其中半導體是重頭。
叁星計劃在韓國西南部的光州和全羅南道建設4至5座前道（晶圓制造）晶圓廠，投入約300萬億韓元。龍仁半導體集群再建6座晶圓廠，投入360萬億韓元，原計劃2048年完工，目前計劃提前到2034至2035年。忠清南道天安和溫陽的先進封裝基地投入超過56萬億韓元，定位是封裝研發與生產中心。
半導體之外，AI數據中心投資超過350萬億韓元，重點選址在忠清南道牙山。
SK海力士計劃在光州建設肆、伍座前道晶圓廠，並在忠清北道清州擴建NAND閃存工廠，相關投資規模約600萬億韓元。
在此之前，SK海力士已經啟動了部分擴產項目，但這些項目是否包含在這次公布的新投資計劃裡，該公司沒有說明。
比如，SK集團會長崔泰源曾在6月11日表示，位於清州M15X晶圓廠計劃2026年下半年開始運營，初始月產能4萬片，預計2027年增至約8萬片。
此外，龍仁半導體集群也在加速推進，壹期預計2027年初完工，分為6個潔淨室，每個潔淨室逐步增加月產能6萬片，僅第壹工廠就可在2030年上半年之前增加月產能36萬片DRAM。
美光的擴產，全球市場同步推進，美國本土是核心。
第叁財季業績電話會上，CFO馬克·墨菲（Mark Murphy）給出的資本支出指引是：第肆財季約100億美元，2026財年全年270億美元。他還預告，2027財年的季度資本支出將高於2026財年第肆財季水平，其中壹半以上的同比增長來自建設資本支出。
目前，在美國愛達荷州博伊西總部園區，美光正新建兩座晶圓廠ID1和ID2，總投資500億美元，是美國有史以來建造的最大潔淨室之壹。ID1預計2027年中產出首批DRAM晶圓，其中包括HBM用基礎芯片。ID2預計2028年底前投產。
紐約州錫拉丘茲的晶圓廠集群投資1000億美元，是紐約州歷史上最大的單筆私人投資，2026年1月已破土動工。
弗吉尼亞州馬納薩斯的工廠最近啟動了1-alpha DDR4技術生產，主要服務汽車、工業、醫療、航空航天和國防市場對成熟制程產品的需求。
亞洲方面，日本廣島的新建DRAM晶圓廠投資96億美元，已引入EUV設備。在中國台灣當地收購的現有晶圓廠預計2027年中實現批量產品出貨，比預期提前約壹個季度。附近同等規模的第贰座潔淨室已開建，將支持EUV設備。
新加坡將成為美光的先進封裝卓越中心，重點擴展HBM封裝產能，預計2027年上半年開始貢獻收入，當地新建NAND晶圓廠的拾年投資約240億美元。
梅赫羅特拉特別提到，美光最近跟ASML簽了壹項多年期EUV供應協議，為下壹代1-delta節點及更先進工藝鋪路。
叁家公司的投資安排有壹個共同點：都在擴產，但都是拉長時間、分攤負擔，沒有壹家在賭短期爆發。
桑傑在美光第叁財季電話會上解釋，全行業都在努力增加供應，但擴產速度受限於以下幾個因素：晶圓廠建設周期太長，設備交付越來越慢，熟練工人不夠用，能源和水電基礎設施也跟不上。
他把這些因素統稱為“結構性約束”。在這種約束下，未來兩叁年，供給端的緊張大概率不會緩解。
02 HBM成為戰略籌碼
比起傳統DRAM（動態隨機存取存儲器），真正讓下游廠商睡不著覺的，是HBM（高帶寬存儲器）。
這種堆疊式高帶寬內存的需求邏輯，跟過去所有內存品類都不壹樣。
6月份，黃仁勳在首爾跟SK集團會長崔泰源會面時直接表示：SK海力士到2030年將存儲晶圓產能翻倍的計劃還遠遠不夠。“我們已經從SK海力士采購，每年采購額達數拾億美元，而且這個數字還將大幅增長。”
根據分析師fin在《AI半導體終局推演》中的測算邏輯，每張GPU的HBM容量需求每年增長約40%，供給端的產能增量為14%，DRAM的單元密度增速只有9%，需求與供給的差距越來越大。
這意味著，DRAM的供給增速只有24%，增速差值達到16%。
更關鍵的是，傳統DRAM是標准化產品，逆周期下，需求暴跌，進而價格暴跌，行業面臨巨虧。HBM則繞開了這個陷阱。
fin認為，HBM雖然上層堆疊的依舊是DRAM，但Base die（基底裸片）有定制屬性，客戶需要和存儲原廠簽長約鎖產能，同時AI需求可預測性更強，價格跌了反而會刺激客戶加大配置量，形成托底。另外，由於技術換代快，舊貨貶值快，存儲原廠傾向於搶fabless客戶的下壹代技術資格認證，而不是在存量市場裡打價格戰。
根據fin的分析，HBM已經從過去那種“賺壹年虧叁年”的傳統周期，變成了“上行賺得多、下行也虧不到哪裡去”的成長性周期。他認為，只要Transformer架構裡的注意力機制不被顛覆，HBM的指數級需求就不會停。
03 誰在爭搶韓國產能？
6月份，黃仁勳在韓國與SK集團會長崔泰源、SK海力士CEO郭魯正等舉辦“晚餐會”。
餐後，黃仁勳向現場媒體確認：英偉達新推出的Vera CPU將采用SK海力士DRAM；雙方正在為今年下半年和明年“超大規模的合作”做准備。
同壹天，英偉達與SK海力士官宣壹份多年期技術合作協議，涉及AI超級計算機延伸到機器人、數字孿生和半導體制造。
黃仁勳不是唯壹壹個盯上韓國內存產能的人。
今年3月，AMD的CEO蘇姿豐完成了她2014年上任以來的首次韓國之行，第壹站就是叁星電子在京畿道平澤的園區。
雙方簽下的諒解備忘錄覆蓋了多個層面：叁星將為AMD下壹代AI加速器MI455X供應HBM4內存，同時為代號“Venice”的第六代EPYC處理器開發定制化的DRAM方案。
巨頭扎堆飛往首爾，本質上是因為內存正在從壹種可按需采購的通用部件，變成壹種需要CEO親自出馬去爭取的戰略資源。
04 美光掀桌子，蘋果遭反噬
這輪漲價潮裡，美光的態度比叁星和SK海力士都強硬。
在發布創紀錄的第叁財季業績後，美光首席商務官蘇米特·薩達納接受《華爾街日報》采訪時，罕見地翻起了舊賬。
他透露，美光在上壹次行業低迷期無法投資擴產，部分原因是壹些客戶“在定價上非常激進”，“以最低價采購”，把供應商的毛利率壓成了負數。他說，美光當時就告訴過那幾個客戶，“這種做法沒有建設性”。由於極差的定價和利潤率，2023年許多行業投資被直接叫停。
盡管沒有點名，但美光“吐槽”的客戶被認為是蘋果公司。
蘋果長期以來以跟供應商強硬的議價著稱，通過長期采購合同鎖定低價，把自己的成本壓到最低，同時把終端產品的價格往上提。
不過，強硬的供應鏈姿態，間接誘發的存儲荒，也在反噬蘋果自身。
蘋果CEO蒂姆·庫克最近承認，這輪內存短缺是“百年壹遇的洪水”，漲價“不可避免”。話說完沒多久，蘋果就對MacBook、iPad、Apple TV和Vision Pro等產品線實施了全面提價。當天，蘋果市值蒸發了2650億美元。
據《金融時報》報道，該公司正在悄悄游說華盛頓，希望獲得許可向中國存儲芯片廠商長鑫采購內存。在蘋果看來，長鑫沒有深度卷入AI用HBM的供應爭奪，理論上可以提供更便宜的內存。
市場研究機構Gartner分析師蘭吉特·阿特瓦爾（Ranjit Atwal）對此評價道：“連蘋果也無法幸免，盡管他們擁有所有的專業知識和長期規劃，但這已經超出了他們限制影響的能力。”
現在，所有人都在預測，最快2028年之後存儲短缺就會過去，只不過權力結構壹旦翻轉，很難再回到原點。在存儲這個市場，買方不可能再拿回過去那種“予取予求”的籌碼——內存的“大宗商品時代”正在落幕，而終端廠商還沒有完全適應這個趨勢。
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