他辞去海外终身职位 带整建制团队回国攻坚半导体
图丨达博的谷歌学术页面（来源：谷歌学术）
2013 年，达博在获得博士学位后，来到 NIMS 进行博士后研究。用达博的话描述，他将之前“看到的、想到的在 NIMS 全部印证了一遍”。
在 NIMS，达博打破了多项纪录。一般来说 tenure track 需要三到五年才能获得终身职位，而达博仅用了一年，成为 NIMS 获得终身职位最年轻的学者。此外，他也是 NIMS 中科研项目最多、与产业结合最紧密的年轻学者之一。
2017 年 4 月 1 日，NIMS 开年大会上，达博在同一天两次“登台”：第一次是作为新人做入职介绍，随后又凭借 tenure track 阶段的成果，斩获 NIMS 最高奖“理事长赏”。时任 NIMS 理事长、现任日本 JST 的理事长桥本和仁（Kazuhito Hashimoto）先生甚至开玩笑说，他一辈子能拿的奖，入职第一年就全拿完了。
图丨“材料改变世界，我们创造材料”宣传语展示（来源：NIMS 官网）
2001 年，NIMS 由日本国立金属材料研究所（NRIM）与国立无机材料研究所（NIRIM）合并成立，但一直沿用金属所此前的宣传语已有二十几年。2023 年，NIMS 面向社会有学术影响力的研究人员征集宣传语，达博从一句朴素的哲学道理中汲取灵感，提出了“材料改变世界，我们创造材料”，并被采纳沿用至今，这也是日本国家级研究机构中唯一采用的外籍人员提出的宣传语 [2]。
亚纳米时代，看不清还是看不准？
当下，台积电正在推动 1.4 nm 等下一代先进制程节点，半导体制程正在向亚纳米尺度迈进。以往的成熟制程随机误差偏小，然而在亚纳米尺度的测量，随机误差显着增大，无法再用单一、少量参数来简单标定精度，必须在参数收集阶段即引入更复杂的模型。但这种复杂模型在人的感知中是模糊的图像，每个像素及其统计波动都包含关键信息。
半导体制程演进，首先要解决“如何在更小尺度看清和看准”的问题。
随着先进制程的细节要求越来越高，电子束量检测设备正在成为半导体领域不可替代的工具。在芯片生产加工过程中，结构成型、图形按照目标图形生产、晶圆表面或结构表面是否残留光刻胶以及各类缺陷等各个方面都需要精准排查，而这些因素都与半导体的良率密切相关。
另一方面，先进制程下缺陷愈发微观，需要捕捉到微弱信号。传统的光学手段由于波长受限，很难在小尺寸实现观测；而电子束波长在亚纳米级别尺度，既能在光学基础上看得更小、更清晰，还能探测比光学手段更丰富的信息，例如深孔观测，其已成为存储芯片制造领域最核心的问题之一。这就像是在医学领域中用肉眼以及 X 光观测人体，所获取的信息维度完全不同。
根据公开资料显示，在电子束量检测设备领域，达博曾重新定义亚纳米尺度下微观观测的底层逻辑。他借鉴电阻测量四探针技术与红外天文学领域的 Chop-Nod Method，原创提出“白色电子”研究方法 [3]。
该方法通过多次关联测量，有效屏蔽衬底背景信号干扰，实现半导体微纳缺陷的精准表征与定量解析。其核心创新是把非单色二次电子（SE）能谱整体作为探测信号，构建出微弱信号超高通量探测、识别与分析的全新技术方案。
在科研应用案例中，该方法能够依托纳米材料透射率的细微变化，精准获取衬底表面仅 1–2 个原子层厚度纳米材料的定量信息，检测效率相较传统多层探测法提升近两个数量级。
而在这项研究过程中，也让达博第一次强烈感受到半导体的产业和学术界不同的需求：对于产业界而言，只要方法管用、能给企业节约费用就是好方法；而在发表学术论文时，以“白色电子”方法相关论文为例，审稿人纠结的是，提取出来的结果是很多实验的组合，那它到底代表的是什么样的信息？这背后究竟有怎样的机理？
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2013 年，达博在获得博士学位后，来到 NIMS 进行博士后研究。用达博的话描述，他将之前“看到的、想到的在 NIMS 全部印证了一遍”。
在 NIMS，达博打破了多项纪录。一般来说 tenure track 需要三到五年才能获得终身职位，而达博仅用了一年，成为 NIMS 获得终身职位最年轻的学者。此外，他也是 NIMS 中科研项目最多、与产业结合最紧密的年轻学者之一。
2017 年 4 月 1 日，NIMS 开年大会上，达博在同一天两次“登台”：第一次是作为新人做入职介绍，随后又凭借 tenure track 阶段的成果，斩获 NIMS 最高奖“理事长赏”。时任 NIMS 理事长、现任日本 JST 的理事长桥本和仁（Kazuhito Hashimoto）先生甚至开玩笑说，他一辈子能拿的奖，入职第一年就全拿完了。
图丨“材料改变世界，我们创造材料”宣传语展示（来源：NIMS 官网）
2001 年，NIMS 由日本国立金属材料研究所（NRIM）与国立无机材料研究所（NIRIM）合并成立，但一直沿用金属所此前的宣传语已有二十几年。2023 年，NIMS 面向社会有学术影响力的研究人员征集宣传语，达博从一句朴素的哲学道理中汲取灵感，提出了“材料改变世界，我们创造材料”，并被采纳沿用至今，这也是日本国家级研究机构中唯一采用的外籍人员提出的宣传语 [2]。
亚纳米时代，看不清还是看不准？
当下，台积电正在推动 1.4 nm 等下一代先进制程节点，半导体制程正在向亚纳米尺度迈进。以往的成熟制程随机误差偏小，然而在亚纳米尺度的测量，随机误差显着增大，无法再用单一、少量参数来简单标定精度，必须在参数收集阶段即引入更复杂的模型。但这种复杂模型在人的感知中是模糊的图像，每个像素及其统计波动都包含关键信息。
半导体制程演进，首先要解决“如何在更小尺度看清和看准”的问题。
随着先进制程的细节要求越来越高，电子束量检测设备正在成为半导体领域不可替代的工具。在芯片生产加工过程中，结构成型、图形按照目标图形生产、晶圆表面或结构表面是否残留光刻胶以及各类缺陷等各个方面都需要精准排查，而这些因素都与半导体的良率密切相关。
另一方面，先进制程下缺陷愈发微观，需要捕捉到微弱信号。传统的光学手段由于波长受限，很难在小尺寸实现观测；而电子束波长在亚纳米级别尺度，既能在光学基础上看得更小、更清晰，还能探测比光学手段更丰富的信息，例如深孔观测，其已成为存储芯片制造领域最核心的问题之一。这就像是在医学领域中用肉眼以及 X 光观测人体，所获取的信息维度完全不同。
根据公开资料显示，在电子束量检测设备领域，达博曾重新定义亚纳米尺度下微观观测的底层逻辑。他借鉴电阻测量四探针技术与红外天文学领域的 Chop-Nod Method，原创提出“白色电子”研究方法 [3]。
该方法通过多次关联测量，有效屏蔽衬底背景信号干扰，实现半导体微纳缺陷的精准表征与定量解析。其核心创新是把非单色二次电子（SE）能谱整体作为探测信号，构建出微弱信号超高通量探测、识别与分析的全新技术方案。
在科研应用案例中，该方法能够依托纳米材料透射率的细微变化，精准获取衬底表面仅 1–2 个原子层厚度纳米材料的定量信息，检测效率相较传统多层探测法提升近两个数量级。
而在这项研究过程中，也让达博第一次强烈感受到半导体的产业和学术界不同的需求：对于产业界而言，只要方法管用、能给企业节约费用就是好方法；而在发表学术论文时，以“白色电子”方法相关论文为例，审稿人纠结的是，提取出来的结果是很多实验的组合，那它到底代表的是什么样的信息？这背后究竟有怎样的机理？
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