曾亲赴霍尔木兹调研 Citrini判断:碳化硅是AI暗线
2026年5月13日，一份来自独立研究机构Citrini的报告在华尔街投下一枚“深水炸弹”。
这家机构在不久前的霍尔木兹海峡危机最紧张时刻，当所有投行都在依赖卫星数据和二手情报时，Citrini的分析师亲自奔赴冲突一线，走访当地渔民、码头工人和航运调度，最终率先指出“海峡并未被真正封锁”。
这一判断随后被后续事态验证，也让Citrini一战成名。
如今，这家以“脚底沾泥”式调研着称的机构，将聚光灯投向了碳化硅。
在这份重磅报告中，Citrini明确将碳化硅列为AI领域最被低估的核心主线，并提出到2030年，AI数据中心将吃掉碳化硅市场近一半的份额，而先进封装对SiC的需求规模，甚至可能超过传统的功率市场。
报告发布后，美股Wolfspeed大涨，A股碳化硅板块这两天也集体异动。
为什么市场对这份报告反应如此剧烈？
因为Citrini此前的预测记录颇为亮眼，凭借独立视角多次踩准关键拐点。
那么，这次Citrini对碳化硅的判断，究竟是又一次精准的前瞻，还是过于激进的推演？
碳化硅：从功率替代到AI刚需
图片来源：天岳先进官网
碳化硅是由C和Si元素按1：1比例形成的半导体材料，硬度仅次于金刚石，属于第三代宽禁带材料。相比传统硅材料，它在高压、高频、高温场景中具有压倒性优势：击穿电场强度约为硅的10倍，热导率约为硅的3倍，禁带宽度约为硅的3倍。这些特性使其在功率转换和热管理领域具有不可替代的价值。
过去五年，碳化硅的需求故事几乎完全围绕新能源汽车展开。800V高压平台的普及，使碳化硅主驱逆变器成为提升充电速度和能效的核心技术。
据弗若斯特沙利文数据，2025年碳化硅在新能源车主驱逆变器中的渗透率已超过30%，新能源汽车仍然是当前及未来五年碳化硅最大的单一应用市场。
但真正让产业重新测算市场天花板的，是AI算力爆发带来的两个全新增量场景。
第一个场景：AI数据中心电源架构的全面升级。
AI芯片功耗正快速攀升，英伟达B200已超过1000W，下一代Rubin平台预计将进一步走高。传统数据中心普遍采用的54V/48V电源架构，在兆瓦级负载下面临巨大的配电损耗与散热压力，行业正加速向800V高压直流架构过渡，而碳化硅功率器件是实现这一跨越的核心硬件。
2025年5月，英伟达已宣布数据中心电源架构将从当前的54V机架供电向800V高压直流过渡，目标2027年实现规模化商用。相比硅基IGBT，碳化硅MOSFET的开关损耗仅为前者的十分之一，耐压能力更强，可在相同市电容量下支撑更高比例的AI负载。
据估算，一座10万卡规模的智算中心，从硅基切换至碳化硅方案，仅电力基础设施的投资差异即可达数亿元。
第二个场景：先进封装中的热管理革命。
当单芯片功耗突破1000W，传统硅中介层的导热能力已逼近物理极限。台积电正将大尺寸CoWoS先进封装列为核心战略，规划在2026年、2027年分别推出5.5倍与9.5倍光罩尺寸方案，以支持12层HBM及多芯片集成。
碳化硅的热导率是硅的3倍，同时具有与硅接近的热膨胀系数，可以在高效散热的同时减少封装翘曲，提升大尺寸芯片的封装良率。台积电在2025年第四季度法说会上已释放出SiC在先进封装中作为散热关键材料的应用取得突破性验证的信号。据长江证券预测，台积电CoWoS产能2026年将达100万片每月，若30%采用碳化硅方案，潜在空间超10亿美元。
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这家机构在不久前的霍尔木兹海峡危机最紧张时刻，当所有投行都在依赖卫星数据和二手情报时，Citrini的分析师亲自奔赴冲突一线，走访当地渔民、码头工人和航运调度，最终率先指出“海峡并未被真正封锁”。
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如今，这家以“脚底沾泥”式调研着称的机构，将聚光灯投向了碳化硅。
在这份重磅报告中，Citrini明确将碳化硅列为AI领域最被低估的核心主线，并提出到2030年，AI数据中心将吃掉碳化硅市场近一半的份额，而先进封装对SiC的需求规模，甚至可能超过传统的功率市场。
报告发布后，美股Wolfspeed大涨，A股碳化硅板块这两天也集体异动。
为什么市场对这份报告反应如此剧烈？
因为Citrini此前的预测记录颇为亮眼，凭借独立视角多次踩准关键拐点。
那么，这次Citrini对碳化硅的判断，究竟是又一次精准的前瞻，还是过于激进的推演？
碳化硅：从功率替代到AI刚需
图片来源：天岳先进官网
碳化硅是由C和Si元素按1：1比例形成的半导体材料，硬度仅次于金刚石，属于第三代宽禁带材料。相比传统硅材料，它在高压、高频、高温场景中具有压倒性优势：击穿电场强度约为硅的10倍，热导率约为硅的3倍，禁带宽度约为硅的3倍。这些特性使其在功率转换和热管理领域具有不可替代的价值。
过去五年，碳化硅的需求故事几乎完全围绕新能源汽车展开。800V高压平台的普及，使碳化硅主驱逆变器成为提升充电速度和能效的核心技术。
据弗若斯特沙利文数据，2025年碳化硅在新能源车主驱逆变器中的渗透率已超过30%，新能源汽车仍然是当前及未来五年碳化硅最大的单一应用市场。
但真正让产业重新测算市场天花板的，是AI算力爆发带来的两个全新增量场景。
第一个场景：AI数据中心电源架构的全面升级。
AI芯片功耗正快速攀升，英伟达B200已超过1000W，下一代Rubin平台预计将进一步走高。传统数据中心普遍采用的54V/48V电源架构，在兆瓦级负载下面临巨大的配电损耗与散热压力，行业正加速向800V高压直流架构过渡，而碳化硅功率器件是实现这一跨越的核心硬件。
2025年5月，英伟达已宣布数据中心电源架构将从当前的54V机架供电向800V高压直流过渡，目标2027年实现规模化商用。相比硅基IGBT，碳化硅MOSFET的开关损耗仅为前者的十分之一，耐压能力更强，可在相同市电容量下支撑更高比例的AI负载。
据估算，一座10万卡规模的智算中心，从硅基切换至碳化硅方案，仅电力基础设施的投资差异即可达数亿元。
第二个场景：先进封装中的热管理革命。
当单芯片功耗突破1000W，传统硅中介层的导热能力已逼近物理极限。台积电正将大尺寸CoWoS先进封装列为核心战略，规划在2026年、2027年分别推出5.5倍与9.5倍光罩尺寸方案，以支持12层HBM及多芯片集成。
碳化硅的热导率是硅的3倍，同时具有与硅接近的热膨胀系数，可以在高效散热的同时减少封装翘曲，提升大尺寸芯片的封装良率。台积电在2025年第四季度法说会上已释放出SiC在先进封装中作为散热关键材料的应用取得突破性验证的信号。据长江证券预测，台积电CoWoS产能2026年将达100万片每月，若30%采用碳化硅方案，潜在空间超10亿美元。
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