ASML推EUV新技術 產量有望暴增50%
路透社獨家報道，ASML控股公司（阿斯麥）的研究人員表示，他們已經找到壹種方法，可以提高關鍵芯片制造機器中光源的功率，到2030年前，芯片產量可提高50%。
ASML是全球唯壹壹家商用極紫外光刻（EUV）機器制造商。EUV機器是台積電、英特爾等芯片制造商生產先進計算芯片的關鍵工具。
ASML的EUV光源首席技術專家邁克爾‧珀維斯（Michael Purvis）在接受路透社采訪時表示：“這不是壹個雕蟲小技或類似的東西，我們可以在很短的時間內證明它可以發揮作用。”
他在該公司位於聖地亞哥附近的加州工廠發表講話時補充道：“該系統可以在客戶提出的所有相同要求下產生1,000瓦的功率。”
對芯片生產至關重要的機器
EUV機器對芯片生產至關重要，美國兩黨政府都與荷蘭領導人合作，阻止它們被運往中國。中共斥資試圖研發極紫光刻機，但技術上和西方差距很大。
隨著周壹首次披露的技術進步，ASML的目標是通過改進機器最具技術挑戰性的方面，來超越任何潛在的競爭對手。
這是為了產生具有適當功率和特性的EUV光，以大批量生產芯片。該公司研究人員找到了壹種方法，可以將EUV光源的功率從現在的600瓦提高到1000瓦。該技術主要優點是，更大的功率意味著每小時可以生產更多芯片，從而有助於降低每個芯片的成本。
芯片的打印方式類似於照片，EUV光照射在塗有稱為光致抗蝕劑的特殊化學品的硅芯片上。有了更強大的EUV光源，芯片工廠需要更短的曝光時間。
ASML NXE EUV機器系列執行副總裁特恩‧梵谷（Teun van Gogh）告訴路透社：“我們希望確保我們的客戶能夠以更低成本繼續使用EUV。”
每台機器上每小時處理約330片硅片
梵谷表示，到2020年代末（2030年前），客戶應該能夠在每台機器上每小時處理約330片硅片，而現在為220片。根據芯片大小，每個晶圓可以容納數拾個到數千個器件。
為了產生波長為13.5納米的光，ASML的光刻機將熔融錫滴流射入腔室，在腔室中，巨大的贰氧化碳激光器將它們加熱成等離子體。這是壹種過熱的物質狀態，其中錫滴變得比太陽還熱並發出EUV光，由德國Carl Zeiss AG提供的精密光學設備收集並送入機器打印芯片。
周壹披露的關鍵進展包括將錫滴數量增加壹倍，達到每秒約100,000個，並使用兩個較小的激光脈沖將它們塑造成等離子體，而不是今天的機器使用單個成形脈沖。
“這非常具有挑戰性，因為你需要掌握很多東西、很多技術。”科羅拉多州立大學教授豪爾赫‧J‧羅卡（Jorge J. Rocca）對路透社說。他的實驗室專注於激光技術，並培訓了幾位ASML科學家。
“所取得的成果——1000瓦——相當驚人。”他說。
珀維斯表示，ASML相信其用於達到1,000瓦功率的技術將在未來帶來持續進步。他補充道，“我們看到了壹條相當清晰的通往1,500瓦的道路，並且沒有根本原因說明我們無法達到2,000瓦。”
（資料照片）
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好新聞沒人評論怎麼行，我來說幾句
ASML是全球唯壹壹家商用極紫外光刻（EUV）機器制造商。EUV機器是台積電、英特爾等芯片制造商生產先進計算芯片的關鍵工具。
ASML的EUV光源首席技術專家邁克爾‧珀維斯（Michael Purvis）在接受路透社采訪時表示：“這不是壹個雕蟲小技或類似的東西，我們可以在很短的時間內證明它可以發揮作用。”
他在該公司位於聖地亞哥附近的加州工廠發表講話時補充道：“該系統可以在客戶提出的所有相同要求下產生1,000瓦的功率。”
對芯片生產至關重要的機器
EUV機器對芯片生產至關重要，美國兩黨政府都與荷蘭領導人合作，阻止它們被運往中國。中共斥資試圖研發極紫光刻機，但技術上和西方差距很大。
隨著周壹首次披露的技術進步，ASML的目標是通過改進機器最具技術挑戰性的方面，來超越任何潛在的競爭對手。
這是為了產生具有適當功率和特性的EUV光，以大批量生產芯片。該公司研究人員找到了壹種方法，可以將EUV光源的功率從現在的600瓦提高到1000瓦。該技術主要優點是，更大的功率意味著每小時可以生產更多芯片，從而有助於降低每個芯片的成本。
芯片的打印方式類似於照片，EUV光照射在塗有稱為光致抗蝕劑的特殊化學品的硅芯片上。有了更強大的EUV光源，芯片工廠需要更短的曝光時間。
ASML NXE EUV機器系列執行副總裁特恩‧梵谷（Teun van Gogh）告訴路透社：“我們希望確保我們的客戶能夠以更低成本繼續使用EUV。”
每台機器上每小時處理約330片硅片
梵谷表示，到2020年代末（2030年前），客戶應該能夠在每台機器上每小時處理約330片硅片，而現在為220片。根據芯片大小，每個晶圓可以容納數拾個到數千個器件。
為了產生波長為13.5納米的光，ASML的光刻機將熔融錫滴流射入腔室，在腔室中，巨大的贰氧化碳激光器將它們加熱成等離子體。這是壹種過熱的物質狀態，其中錫滴變得比太陽還熱並發出EUV光，由德國Carl Zeiss AG提供的精密光學設備收集並送入機器打印芯片。
周壹披露的關鍵進展包括將錫滴數量增加壹倍，達到每秒約100,000個，並使用兩個較小的激光脈沖將它們塑造成等離子體，而不是今天的機器使用單個成形脈沖。
“這非常具有挑戰性，因為你需要掌握很多東西、很多技術。”科羅拉多州立大學教授豪爾赫‧J‧羅卡（Jorge J. Rocca）對路透社說。他的實驗室專注於激光技術，並培訓了幾位ASML科學家。
“所取得的成果——1000瓦——相當驚人。”他說。
珀維斯表示，ASML相信其用於達到1,000瓦功率的技術將在未來帶來持續進步。他補充道，“我們看到了壹條相當清晰的通往1,500瓦的道路，並且沒有根本原因說明我們無法達到2,000瓦。”
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