[韓國] 中國狂砸千億,韓國冷笑:有些東西錢買不到
中國正以前所未見的速度，全面沖刺先進記憶體領域，壓力不只落在韓國，連美國同業都明顯感受到了震動。但問題來了——錢砸下去，真的就能彎道超車嗎？
韓媒給出的答案相當直接：未必。
追得快，不代表追得上
長期被視為“技術落後好幾年”的中國記憶體產業，近年明顯加速。在政府強力扶植下，中國最大 DRAM 廠商——長鑫存儲（CXMT） 不但積極擴產，還啟動上市規劃，市場也開始重新評估：中國到底追到哪壹步了？
但韓媒點出壹個關鍵現實：記憶體不是資本密集就能解決的產業，而是高度依賴“經驗值”的賽道。
市場主導權，仍握在叁巨頭手中
目前全球 DRAM 市場，叁星電子、SK 海力士與美光 叁大廠合計掌控超過 90% 市占率。這不只是規模優勢，而是技術層級直接碾壓——
真正的核心，在於先進 DRAM 與 AI 必備的高頻寬記憶體（HBM）。
業內直言，這正是最難追、也最難復制的領域。
真正的護城河：不是設備，是“熟練度”
數拾年大規模量產的累積、與壹線客戶反復磨合的經驗、以及把極度復雜制程穩定轉化為高良率產能的能力——
這些，才是韓國廠商真正的護城河。
韓國業者早在 2020 年就率先商用 DDR5，今年更已開始向 AI 大客戶出貨 HBM3E，同時著手准備下壹代 HBM4，技術節奏持續拉開差距。
中國的進度：快，但仍有距離
作為中國記憶體攻堅主力，長鑫存儲成立僅拾余年，直到 2025 年才首次轉虧為盈，目前全球 DRAM 市占約 4%。
在政府推動半導體自主化、加上中美科技競爭升溫的背景下，長鑫的制程開發與客戶拓展確實明顯加快，已宣布量產 DDR5 與 LPDDR5X，並計劃今年切入 HBM3 等級產品。
但問題在於——
HBM 是記憶體制造中技術門檻最高的壹環。
HBM：真正的決戰場
HBM 涉及 DRAM 垂直堆疊、散熱設計與良率控制，被公認是“最難做的記憶體”。
而這，恰恰是韓國目前最有防御力的戰場。
韓國學界與產業界普遍評估，中國在 DRAM 技術上仍落後約 2～3 年。別小看這段差距——在“每壹代制程都會放大效率與成本差異”的記憶體產業中，這就是勝負關鍵。
以 10 納米等級為例，國際大廠已推進到 1b、1c 世代，而中國多數仍停留在 1z 節點，在效能、功耗與成本上持續被拉開。
資料照片 VCG, via Getty Images
NAND 能追，HBM 難追
在 NAND 快閃記憶體方面，差距相對較小。中國已能量產 232 層 產品，與韓廠 286～321 層 雖有差距，但並非無法想像的距離，甚至在部分混合鍵合技術上也出現亮點。
但 HBM 完全是另壹回事。
韓國已進入 HBM3E 量產、HBM4 准備階段；中國雖有企圖，卻在堆疊精度、熱管理與穩定良率等細節上仍明顯落後。
[加西網正招聘多名全職sales 待遇優]
好新聞沒人評論怎麼行，我來說幾句
韓媒給出的答案相當直接：未必。
追得快，不代表追得上
長期被視為“技術落後好幾年”的中國記憶體產業，近年明顯加速。在政府強力扶植下，中國最大 DRAM 廠商——長鑫存儲（CXMT） 不但積極擴產，還啟動上市規劃，市場也開始重新評估：中國到底追到哪壹步了？
但韓媒點出壹個關鍵現實：記憶體不是資本密集就能解決的產業，而是高度依賴“經驗值”的賽道。
市場主導權，仍握在叁巨頭手中
目前全球 DRAM 市場，叁星電子、SK 海力士與美光 叁大廠合計掌控超過 90% 市占率。這不只是規模優勢，而是技術層級直接碾壓——
真正的核心，在於先進 DRAM 與 AI 必備的高頻寬記憶體（HBM）。
業內直言，這正是最難追、也最難復制的領域。
真正的護城河：不是設備，是“熟練度”
數拾年大規模量產的累積、與壹線客戶反復磨合的經驗、以及把極度復雜制程穩定轉化為高良率產能的能力——
這些，才是韓國廠商真正的護城河。
韓國業者早在 2020 年就率先商用 DDR5，今年更已開始向 AI 大客戶出貨 HBM3E，同時著手准備下壹代 HBM4，技術節奏持續拉開差距。
中國的進度：快，但仍有距離
作為中國記憶體攻堅主力，長鑫存儲成立僅拾余年，直到 2025 年才首次轉虧為盈，目前全球 DRAM 市占約 4%。
在政府推動半導體自主化、加上中美科技競爭升溫的背景下，長鑫的制程開發與客戶拓展確實明顯加快，已宣布量產 DDR5 與 LPDDR5X，並計劃今年切入 HBM3 等級產品。
但問題在於——
HBM 是記憶體制造中技術門檻最高的壹環。
HBM：真正的決戰場
HBM 涉及 DRAM 垂直堆疊、散熱設計與良率控制，被公認是“最難做的記憶體”。
而這，恰恰是韓國目前最有防御力的戰場。
韓國學界與產業界普遍評估，中國在 DRAM 技術上仍落後約 2～3 年。別小看這段差距——在“每壹代制程都會放大效率與成本差異”的記憶體產業中，這就是勝負關鍵。
以 10 納米等級為例，國際大廠已推進到 1b、1c 世代，而中國多數仍停留在 1z 節點，在效能、功耗與成本上持續被拉開。
資料照片 VCG, via Getty Images
NAND 能追，HBM 難追
在 NAND 快閃記憶體方面，差距相對較小。中國已能量產 232 層 產品，與韓廠 286～321 層 雖有差距，但並非無法想像的距離，甚至在部分混合鍵合技術上也出現亮點。
但 HBM 完全是另壹回事。
韓國已進入 HBM3E 量產、HBM4 准備階段；中國雖有企圖，卻在堆疊精度、熱管理與穩定良率等細節上仍明顯落後。
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