[關稅] 全球內存價格恐進壹步失控,美揮舞 100% 關稅大棒

IT之家 1 月 20 日消息,2026 年 1 月 18 日在美光紐約(专题)工廠奠基儀式上,美國商務部部長霍華德 · 盧特尼克(Howard Lutnick)釋放明確信號:存儲芯片制造商要麼選擇在美國本土建廠,要麼面臨高達 100% 的懲罰性關稅。


繼台積電、叁星等企業響應“美國制造”號召進行投資後,美國政府此次將矛頭明確指向了 DRAM(動態隨機存取存儲器)供應鏈,意圖通過高額關稅倒逼全球存儲巨頭將產能轉移至美國,而此舉可能會進壹步推高全球內存價格。

盡管叁星電子和 SK 海力士已在美國布局,但其現有規劃恐難逃新政制裁。叁星此前雖已宣布在美投入半導體前道和後道工序,但目前尚無新建專門用於生產內存芯片的晶圓廠計劃。

與此同時,SK 海力士近期雖宣布在印第安納州西拉法葉投資 40 億美元(IT之家注:現匯率約合 279.07 億元人民幣(专题)),但該項目主要聚焦於 2.5D 先進封裝與研發工作,並未包含 DRAM 生產線。

目前僅有美光科技壹家主要廠商明確致力於在美國本土生產 DRAM 芯片。若新政落地,這兩家韓國巨頭將首當其沖,面臨極為嚴峻的經營風險。


這壹政策對本已緊張的全球存儲市場而言無異於雪上加霜。受人工智能產業爆發式增長的驅動,DRAM 價格此前已攀升至歷史高位,產能擴張本就面臨巨大挑戰。

科技媒體 Wccftech 認為,若美國強行實施 100% 關稅,將導致供應鏈成本劇增,進而引發存儲產品價格進壹步失控。對於正處於高速發展期的 AI 行業而言,核心硬件成本的暴漲可能成為阻礙技術普及的“攔路虎”,而最終的成本壓力極大概率將轉嫁給下游廠商及普通消費者。

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