[叁星] 台積電悄悄"掀桌",叁星英特爾慌了
你可以把它想象成壹棟棟豎起來的“小鰭”，電流就像在這些鰭片構成的通道裡穿行，而柵極（Gate）從叁面包裹著它，像壹只手壹樣控制著電流的通斷。
這個結構非常成功，曾支撐了摩爾定律的指數級迭代。
但當工藝逼近3nm，物理極限的牆壁也隨之而來：
“小鰭”變得越來越薄，漏電現象就像壹個無法堵住的窟窿，讓功耗與性能的平衡也越來越難以為繼。
台積電的N2工藝采用了壹項全新的革命性技術——環柵（Gate-All-Around,GAA）納米片晶體管（nanosheet transistor）。
如果說FinFET是柵極從“叁面”控制電流，而GAA納米片晶體管的柵極可以將整個電流通道“肆面”完全包裹起來。
該結構將原來的電流通道由豎立的“鰭”變成了水平堆疊的“納米片”，柵極可以從肆面“360度無死角擁抱”通道，好處也是顯而易見。
首先，它降低了功耗。
由於改善了靜電控制，可以更精准地命令數以億計的晶體管“開啟”或“關閉”，大大減少了漏電，從而在根本上降低了功耗。
其次，單位空間內可以實現更強的性能。
這種堆疊的納米片結構，讓工程師們可以在同樣的空間裡，塞下更多的晶體管，最終提高晶體管密度。
相對於純邏輯電路的設計，N2P（N2系列的延伸）工藝的晶體管密度比前代N3E提升了約20%。
這表明芯片可以變得更小，或者在同樣大小下，集成更強大的功能。
此外，N2還在供電網絡中增加了超高性能金屬-絕緣體-金屬(Super-High-Performance Metal-Insulator-Metal,SHPMIM)電容器。
據台積電公開資料及媒體轉述，SHPMIM相對前代電容容量密度提升逾2倍，Rs/Rc降低約50%，從而提高了功率穩定性、性能和整體能源效率。
GAA納米片晶體管負責從源頭“節流”，SHPMIM電容器負責為性能“開源”，兩者結合，共同成就了N2工藝在性能與功耗上的雙重飛躍。
雄心勃勃的量產藍圖
雙線作戰，劍指AI與未來
台積電將N2工藝的量產地選在了位於台灣高雄的全新工廠——晶圓贰拾贰廠（Fab 22），以及緊鄰其位於台灣新竹全球研發中心的晶圓贰拾廠(Fab 20)。
兩地並行擴產，展現出台積電在先進制程芯片上的激進布局。
通常，壹項新工藝的產能爬坡，會先從技術相對成熟、尺寸較小的移動芯片開始，壹步步摸索，穩扎穩打。
但這壹次，台積電選擇了在高雄和新竹兩座全新的晶圓廠擴充先進制程產能。
這些先進制程芯片很可能服務於高端智能手機、高性能計算（AI/HPC）等多個領域。
這是壹次罕見的“雙線作戰”。
壹邊是蘋果等巨頭每年需求量數以億計的手機芯片，另壹邊是英偉達等客戶設計的、尺寸巨大、結構復雜的AI和服務器芯片。
同時駕馭這兩種截然不同、且都對良率要求極為苛刻的產品線，其難度也將呈指數級增加。
台積電CEO魏哲家在拾月份的財報電話會議上表示：
“N2進展順利，將於本季度晚些時候進入量產，且良率良好。我們預計在智能手機和高性能計算(HPC)、AI應用的推動下，2026年將實現更快的產能爬坡。”
支撐台積電這份自信的，是其背後排起長隊的客戶。
據市場普遍預期，N2將首先覆蓋高端手機與HPC/AI等需求。
從蘋果的下壹代iPhone、Mac芯片，到英偉達、AMD的未來AI加速器，幾乎所有頂尖科技巨頭都對N2工藝表現出了“濃厚興趣”，同時開啟兩座晶圓廠的產能也就勢在必行了。
這盤大棋背後也透露了台積電對未來市場格局的精准布局：
智能手機是基本盤，而AI與HPC，則是它未來拾年最大的增長引擎。
從N2P到A16
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這個結構非常成功，曾支撐了摩爾定律的指數級迭代。
但當工藝逼近3nm，物理極限的牆壁也隨之而來：
“小鰭”變得越來越薄，漏電現象就像壹個無法堵住的窟窿，讓功耗與性能的平衡也越來越難以為繼。
台積電的N2工藝采用了壹項全新的革命性技術——環柵（Gate-All-Around,GAA）納米片晶體管（nanosheet transistor）。
如果說FinFET是柵極從“叁面”控制電流，而GAA納米片晶體管的柵極可以將整個電流通道“肆面”完全包裹起來。
該結構將原來的電流通道由豎立的“鰭”變成了水平堆疊的“納米片”，柵極可以從肆面“360度無死角擁抱”通道，好處也是顯而易見。
首先，它降低了功耗。
由於改善了靜電控制，可以更精准地命令數以億計的晶體管“開啟”或“關閉”，大大減少了漏電，從而在根本上降低了功耗。
其次，單位空間內可以實現更強的性能。
這種堆疊的納米片結構，讓工程師們可以在同樣的空間裡，塞下更多的晶體管，最終提高晶體管密度。
相對於純邏輯電路的設計，N2P（N2系列的延伸）工藝的晶體管密度比前代N3E提升了約20%。
這表明芯片可以變得更小，或者在同樣大小下，集成更強大的功能。
此外，N2還在供電網絡中增加了超高性能金屬-絕緣體-金屬(Super-High-Performance Metal-Insulator-Metal,SHPMIM)電容器。
據台積電公開資料及媒體轉述，SHPMIM相對前代電容容量密度提升逾2倍，Rs/Rc降低約50%，從而提高了功率穩定性、性能和整體能源效率。
GAA納米片晶體管負責從源頭“節流”，SHPMIM電容器負責為性能“開源”，兩者結合，共同成就了N2工藝在性能與功耗上的雙重飛躍。
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雙線作戰，劍指AI與未來
台積電將N2工藝的量產地選在了位於台灣高雄的全新工廠——晶圓贰拾贰廠（Fab 22），以及緊鄰其位於台灣新竹全球研發中心的晶圓贰拾廠(Fab 20)。
兩地並行擴產，展現出台積電在先進制程芯片上的激進布局。
通常，壹項新工藝的產能爬坡，會先從技術相對成熟、尺寸較小的移動芯片開始，壹步步摸索，穩扎穩打。
但這壹次，台積電選擇了在高雄和新竹兩座全新的晶圓廠擴充先進制程產能。
這些先進制程芯片很可能服務於高端智能手機、高性能計算（AI/HPC）等多個領域。
這是壹次罕見的“雙線作戰”。
壹邊是蘋果等巨頭每年需求量數以億計的手機芯片，另壹邊是英偉達等客戶設計的、尺寸巨大、結構復雜的AI和服務器芯片。
同時駕馭這兩種截然不同、且都對良率要求極為苛刻的產品線，其難度也將呈指數級增加。
台積電CEO魏哲家在拾月份的財報電話會議上表示：
“N2進展順利，將於本季度晚些時候進入量產，且良率良好。我們預計在智能手機和高性能計算(HPC)、AI應用的推動下，2026年將實現更快的產能爬坡。”
支撐台積電這份自信的，是其背後排起長隊的客戶。
據市場普遍預期，N2將首先覆蓋高端手機與HPC/AI等需求。
從蘋果的下壹代iPhone、Mac芯片，到英偉達、AMD的未來AI加速器，幾乎所有頂尖科技巨頭都對N2工藝表現出了“濃厚興趣”，同時開啟兩座晶圓廠的產能也就勢在必行了。
這盤大棋背後也透露了台積電對未來市場格局的精准布局：
智能手機是基本盤，而AI與HPC，則是它未來拾年最大的增長引擎。
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