[叁星] 台積電悄悄"掀桌",叁星英特爾慌了
台積電悄悄按下了“2nm”量產啟動鍵，標志著先進芯片制程正式邁入2nm時代，拉開了新壹輪半導體技術競賽的序幕。
台積電2nm制程芯片已投入量產！
沒有盛大的產品發布，只是在官網的技術介紹頁面上低調提了壹句：
台積電2nm（N2）技術已按計劃於2025年第肆季度投入量產。
簡單的壹句話，背後是半導體技術物理極限的壹次重大突破，標志著台積電2nm級制程進入量產階段，全球科技邁入了2nm芯片的新時代。
據台積電官方介紹，其N2技術采用了第壹代納米片晶體管（nanosheet transistor）技術。
與已經非常優秀的N3E工藝相比，N2技術在性能與功耗方面實現了全節點的顯著提升：
在同樣功耗下，性能（速度）提升10%–15%。
在同樣速度下，功耗降低25%–30%。
這意味著我們手中的智能手機、驅動AI世界的龐大算力、以及未來壹切智能設備，都即將迎來壹場性能革命。
位於台灣高雄的晶圓贰拾贰廠（Fab 22）是台積電2nm制程的生產基地
此前台積電已多次表示N2芯片將於2025年第肆季度按計劃進入量產階段，此舉也意味著該項計劃現已兌現。
由“鰭”到“片”
突破3nm極限
壹切變革，都始於最微觀的結構。
過去拾年，從22nm到3nm，芯片行業壹直依賴著壹項名為“鰭式場效應晶體管”（FinFET）的關鍵技術。
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台積電2nm（N2）技術已按計劃於2025年第肆季度投入量產。
簡單的壹句話，背後是半導體技術物理極限的壹次重大突破，標志著台積電2nm級制程進入量產階段，全球科技邁入了2nm芯片的新時代。
據台積電官方介紹，其N2技術采用了第壹代納米片晶體管（nanosheet transistor）技術。
與已經非常優秀的N3E工藝相比，N2技術在性能與功耗方面實現了全節點的顯著提升：
在同樣功耗下，性能（速度）提升10%–15%。
在同樣速度下，功耗降低25%–30%。
這意味著我們手中的智能手機、驅動AI世界的龐大算力、以及未來壹切智能設備，都即將迎來壹場性能革命。
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此前台積電已多次表示N2芯片將於2025年第肆季度按計劃進入量產階段，此舉也意味著該項計劃現已兌現。
由“鰭”到“片”
突破3nm極限
壹切變革，都始於最微觀的結構。
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