[北京] 北京距离突破,仍有一道深不见底的鸿沟

深圳EUV超紫外光曝光原型机的出现,并非“灵光一闪”,而是典型的“被需求逼出来的混合型方案”。在这条极其艰难的技术路线上,北京选择了最熟悉、也最激进的路径——举国体制。华为被推到台前,担任“中央系统整合商”,将上海光学精密机械研究所(SIOM)等国家级科研机构,与一众民营企业强行拧成一股绳。


但必须承认,即便取得阶段性突破,中国距离真正的芯片量产与商业化,仍有一道深不见底的鸿沟。

现实是,目前中芯国际仍主要依赖较为落后的DUV曝光机,通过复杂、繁琐的多重曝光工艺来勉强生产7纳米芯片。代价是什么?成本失控、效率低下。有报道称,中芯国际的晶圆制造成本比台积电高出40%—50%,而7纳米良率甚至低于50%。

在典型的自由市场环境中,这样的企业几乎注定被淘汰;但在中国,这些成本被政府“兜底”,目的只有一个——确保像华为这样的战略级企业活下来,并继续向前推进。

在技术路线上,中国与ASML的分歧同样耐人寻味。

ASML采用的是二氧化碳雷射产生极紫外光,而中国研究团队选择重新拾起一条曾被ASML放弃的固态雷射路线。当年,这一方案因效率不足,被认为无法支撑大规模量产。但如今,中国团队报告称,其能量转换效率已达到3.42%,正在逼近实际应用的门槛。

与此同时,华为还准备了“Plan B”。

一种名为雷射诱导放电等离子体(LDP)的光源方案正在同步推进。它不依赖复杂雷射系统,而是通过高压放电产生等离子体,结构更简单、可控性更强。尽管功率偏低,但作为备用方案,它足以在关键时刻“保底”——即便无法绕开被禁用的蔡司光学镜片,LDP仍可用于生产满足军用与特定需求的芯片,哪怕产量有限。

为了补齐系统整合这一“最难、也最隐蔽”的短板,该计划还在全球范围内高强度挖人。据路透社披露,中国团队从ASML等企业招募顶尖工程师,甚至开出高达70万美元的签约奖金。这类“人力情报收集”,为国产EUV补上了大量无法从论文中获得的工程经验。

中国EUV曝光机真正的终极目标,并不仅是“能做出来”,而是干掉昂贵的多重曝光工艺,让芯片制造回到可持续的商业逻辑,而非长期依赖国家输血。


在那之前——预计至少要到2029年前后——中国芯片产业仍将处在一个现实而残酷的阶段:用巨额财政投入,去对冲技术封锁与经济规律之间的矛盾。

这不是捷径,而是一场押上耐力、资源与时间的硬仗。



(陆媒报导截图)

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