台積電北美技術研討會,全細節來了!
具體而言,預計到2029年,AI個人電腦的出貨量將達到2.8億台,而AI智能手機的出貨量最早在2025年就有望突破10億部。預計到2028年,AR/XR設備的出貨量將達到5000萬台。
此外,像機器人出租車和人形機器人這樣的下壹代應用,預計到2030年,每年各自將需要250萬個高性能芯片。這些數據表明,未來的芯片不僅要具備更高的計算性能,還需要在能源效率、系統級集成和封裝密度方面取得突破。
台積電認為,這些新興的AI驅動應用將大幅增加芯片的復雜性,對更緊密的集成提出更高要求,並推動制程創新,最終為半導體行業的新壹輪增長提供動力。在台積電看來,這是實現1萬億美元半導體產業願景的基本路徑。
02
先進制程技術:N3、N2、A16、A14
N3
目前,台積電的N3系列(即3nm工藝)已包含已量產的N3和N3E,並計劃後續推出N3P、N3X、N3A以及N3C等版本。

台積電透露,公司計劃於2024年第肆季度開始生產基於性能增強型N3P(第叁代3納米級)工藝技術的芯片。N3P是N3E的後續產品,主要面向需要增強性能並保留3納米級IP的客戶端和數據中心應用。
台積電的N3P是N3E的光學微縮工藝,它保留了設計規則和 IP 兼容性,同時在相同漏電流下性能提升 5%,或在相同頻率下功耗降低 5% 至 10%,並且對於典型的邏輯、SRAM 和模擬模塊混合設計,晶體管密度提升 4%。由於 N3P 的密度增益源於改進的光學器件,它能夠在所有芯片結構上實現更好的擴展,尤其有利於大量使用 SRAM 的高性能設計。N3P 現已投入生產,因此該公司目前正在為其主要客戶基於該技術開發產品。
與N3P 相比,N3X 有望在相同功率下將最大性能提高 5%,或在相同頻率下將功耗降低 7%。然而,與 N3P 相比,N3X 的主要優勢在於它支持高達 1.2V 的電壓(對於 3nm 級技術來說,這是極限值),這將為需要它的應用程序(即客戶端 CPU)提供絕對最大頻率 (Fmax)。Fmax 的代價是:漏電功率高達 250%——因此,芯片開發人員在構建基於 N3X 且電壓為 1.2V 的設計時必須小心謹慎。N3X芯片預計將於今年下半年實現量產。
台積電路線圖有壹些細微的變化。路線圖已延長至2028年,增加了N3C和A14。N3C是壹個壓縮版本,這意味著良率學習曲線已經到了可以進壹步優化工藝密度的階段。
台積電會上披露了其下壹代芯片制造工藝的進展。公司預計將在今年下半年開始量產N2芯片。這是台積電首次采用全環繞柵極(GAA)納米片晶體管技術進行生產。

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還沒人說話啊,我想來說幾句
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台積電的N3P是N3E的光學微縮工藝,它保留了設計規則和 IP 兼容性,同時在相同漏電流下性能提升 5%,或在相同頻率下功耗降低 5% 至 10%,並且對於典型的邏輯、SRAM 和模擬模塊混合設計,晶體管密度提升 4%。由於 N3P 的密度增益源於改進的光學器件,它能夠在所有芯片結構上實現更好的擴展,尤其有利於大量使用 SRAM 的高性能設計。N3P 現已投入生產,因此該公司目前正在為其主要客戶基於該技術開發產品。
與N3P 相比,N3X 有望在相同功率下將最大性能提高 5%,或在相同頻率下將功耗降低 7%。然而,與 N3P 相比,N3X 的主要優勢在於它支持高達 1.2V 的電壓(對於 3nm 級技術來說,這是極限值),這將為需要它的應用程序(即客戶端 CPU)提供絕對最大頻率 (Fmax)。Fmax 的代價是:漏電功率高達 250%——因此,芯片開發人員在構建基於 N3X 且電壓為 1.2V 的設計時必須小心謹慎。N3X芯片預計將於今年下半年實現量產。
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台積電會上披露了其下壹代芯片制造工藝的進展。公司預計將在今年下半年開始量產N2芯片。這是台積電首次采用全環繞柵極(GAA)納米片晶體管技術進行生產。

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