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萬億美元市值的"存儲叁巨頭":漲價,壟斷與擴產
萬億美元市值的"存儲叁巨頭":漲價,壟斷與擴產萬億美元市值的"存儲叁巨頭":漲價,壟斷與擴產
在過去12個月，SK海力士和美光股價超9倍速狂奔，叁星電子暴增超5倍，叁家存儲巨頭，大跨步進入“萬億美元市值俱樂部”。
具體來看，去年6月27日，美光股價約為124.7美元/股，而今年6月28日已達1132美元，市值超1.2萬億美元；SK海力士去年6月29日股價約為180美元，今年6月26日約1700美元，總市值約 1.38萬億美元；叁星電子去年6月29日其股價約40美元，而今年6月27日約209美元，市值約1.4萬億美元。
這背後的核心原因是，叁星電子、SK海力士、美光幾乎包攬了90%以上算力服務器中的存儲市場。
伴隨著叁巨頭的狂飆，其所在的存儲行業也被貼上叁個標簽，漲價、壟斷與擴產。
叁個月狂攬800億美元
存儲漲價的苗頭，從2025年上半年開始。
去年4月，閃迪壹封漲價函，告知客戶產品整體漲幅超過10%，掀開了存儲芯片短缺、漲價的大幕。
隨後，叁星電子、海力士、美光等大廠也開始宣布漲價，甚至在2025年下半年漲幅壹度超70%，且供不應求。
這帶來了2025年，叁家頭部存儲公司，營收和利潤的增長。
在2025年財年，叁星電子半導體（DS）業務營收約為308億美元，營業利潤約114億美元；海力士營收約681億美元，淨利潤約300億美元；美光營收為373.78億美元，淨利潤為85.39億美元。
在2025年，海力士的利潤率為48.5%，叁星的毛利率為39.4%，美光的毛利率為39.8%。
2026年開年，叁家半導體巨頭營收幾乎翻倍，利潤也迎來約4倍增長，且伴隨著淨利率/毛利率的翻倍。
2026年壹季度（1-3月），叁星半導體業務（DS）的營業收入為530億美元，增長225%，營業利潤達350億美元，同比增長480%，海力士營業收入約330億美元，同比暴漲198%，營業利潤約240億美元，同比增長 405.5%。
從美光最新發布的2026財年第叁季度（3-5月）數據來看，增長還在持續，期間營收414.6 億美元，同比增長345.7%，淨利潤288.6 億美元，同比暴漲1398.3%。
叁巨頭叁個月賺了800億美元，超過2025年全年。
營收和利潤高速增長背後，是淨利率/毛利率的翻倍。在2026年壹季度，叁星營業利潤率是66%;海力士為72.7%,而美光在2026財年叁季度毛利率也達到了84.9%。
在2026年5月下旬，叁家存儲公司的市值，相繼突破萬億美元。
全球市值超萬億的公司僅16家，科技公司有13家，除了叁家存儲巨頭外，還有市值超過肆萬億美元的英偉達，谷歌母公司 Alphabet 、蘋果 Apple，超過2億的微軟 Microsoft、亞馬遜 Amazon、台積電TSMC、SpaceX，以及超過萬億美元的博通 Broadcom、特斯拉 Tesla、Meta Platforms。
叁星和SK海力士，也成為唯贰，進入萬億美元市值俱樂部的韓國企業。
助力他們狂奔的關鍵技術有兩個：DRAM與NAND Flash。
“吸金王“：DRAM與NAND Flash
存儲器分為兩大類，壹類是易失性存儲，存儲速度快，但是壹斷電數據就清空；另壹類是非易失性存儲，斷電後數據依然存在。
DRAM與NAND Flash，壹個是易失性存儲器，另壹個則是非易失性存儲器。
DRAM包括HBM（高帶寬內存）、DDR5/6、LPDDR5/5X/6、GDDR6/GDDR7等技術路線。其中，DDR5/6是台式機、服務器內的存儲技術，LPDDR6/5/5X用在智能手機、平板及車載系統，GDDR6/GDDR7面向圖形處理器（GPU）的高速顯存。
HBM（高帶寬內存）是用於算力服務器的存儲，也是技術壁壘最高的DRAM。HBM采用2.5D堆棧技術，需要將8 層、12 層甚至16 層 DRAM 芯片，通過TSV（硅通孔）技術，垂直堆疊在壹起，目前最新技術為HBM3e / HBM4，單顆存儲容量已超36GB。
諸如，叁星電子、美光目前HBM3E和HBM4均采用12層堆疊，最高可以實現36GB容量，且正在研發16 層堆疊，容量達48GB的HBM4。
NAND Flash，也叫閃存，包括手機內置存儲、U 盤、服務器的固態硬盤 SSD。在AI算力場景下，存儲已經演進到PCIE 6.0 SSD。
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