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万亿美元市值的"存储三巨头":涨价,垄断与扩产
万亿美元市值的"存储三巨头":涨价,垄断与扩产万亿美元市值的"存储三巨头":涨价,垄断与扩产
在过去12个月，SK海力士和美光股价超9倍速狂奔，三星电子暴增超5倍，三家存储巨头，大跨步进入“万亿美元市值俱乐部”。
具体来看，去年6月27日，美光股价约为124.7美元/股，而今年6月28日已达1132美元，市值超1.2万亿美元；SK海力士去年6月29日股价约为180美元，今年6月26日约1700美元，总市值约 1.38万亿美元；三星电子去年6月29日其股价约40美元，而今年6月27日约209美元，市值约1.4万亿美元。
这背后的核心原因是，三星电子、SK海力士、美光几乎包揽了90%以上算力服务器中的存储市场。
伴随着三巨头的狂飙，其所在的存储行业也被贴上三个标签，涨价、垄断与扩产。
三个月狂揽800亿美元
存储涨价的苗头，从2025年上半年开始。
去年4月，闪迪一封涨价函，告知客户产品整体涨幅超过10%，掀开了存储芯片短缺、涨价的大幕。
随后，三星电子、海力士、美光等大厂也开始宣布涨价，甚至在2025年下半年涨幅一度超70%，且供不应求。
这带来了2025年，三家头部存储公司，营收和利润的增长。
在2025年财年，三星电子半导体（DS）业务营收约为308亿美元，营业利润约114亿美元；海力士营收约681亿美元，净利润约300亿美元；美光营收为373.78亿美元，净利润为85.39亿美元。
在2025年，海力士的利润率为48.5%，三星的毛利率为39.4%，美光的毛利率为39.8%。
2026年开年，三家半导体巨头营收几乎翻倍，利润也迎来约4倍增长，且伴随着净利率/毛利率的翻倍。
2026年一季度（1-3月），三星半导体业务（DS）的营业收入为530亿美元，增长225%，营业利润达350亿美元，同比增长480%，海力士营业收入约330亿美元，同比暴涨198%，营业利润约240亿美元，同比增长 405.5%。
从美光最新发布的2026财年第三季度（3-5月）数据来看，增长还在持续，期间营收414.6 亿美元，同比增长345.7%，净利润288.6 亿美元，同比暴涨1398.3%。
三巨头三个月赚了800亿美元，超过2025年全年。
营收和利润高速增长背后，是净利率/毛利率的翻倍。在2026年一季度，三星营业利润率是66%;海力士为72.7%,而美光在2026财年三季度毛利率也达到了84.9%。
在2026年5月下旬，三家存储公司的市值，相继突破万亿美元。
全球市值超万亿的公司仅16家，科技公司有13家，除了三家存储巨头外，还有市值超过四万亿美元的英伟达，谷歌母公司 Alphabet 、苹果 Apple，超过2亿的微软 Microsoft、亚马逊 Amazon、台积电TSMC、SpaceX，以及超过万亿美元的博通 Broadcom、特斯拉 Tesla、Meta Platforms。
三星和SK海力士，也成为唯二，进入万亿美元市值俱乐部的韩国企业。
助力他们狂奔的关键技术有两个：DRAM与NAND Flash。
“吸金王“：DRAM与NAND Flash
存储器分为两大类，一类是易失性存储，存储速度快，但是一断电数据就清空；另一类是非易失性存储，断电后数据依然存在。
DRAM与NAND Flash，一个是易失性存储器，另一个则是非易失性存储器。
DRAM包括HBM（高带宽内存）、DDR5/6、LPDDR5/5X/6、GDDR6/GDDR7等技术路线。其中，DDR5/6是台式机、服务器内的存储技术，LPDDR6/5/5X用在智能手机、平板及车载系统，GDDR6/GDDR7面向图形处理器（GPU）的高速显存。
HBM（高带宽内存）是用于算力服务器的存储，也是技术壁垒最高的DRAM。HBM采用2.5D堆栈技术，需要将8 层、12 层甚至16 层 DRAM 芯片，通过TSV（硅通孔）技术，垂直堆叠在一起，目前最新技术为HBM3e / HBM4，单颗存储容量已超36GB。
诸如，三星电子、美光目前HBM3E和HBM4均采用12层堆叠，最高可以实现36GB容量，且正在研发16 层堆叠，容量达48GB的HBM4。
NAND Flash，也叫闪存，包括手机内置存储、U 盘、服务器的固态硬盘 SSD。在AI算力场景下，存储已经演进到PCIE 6.0 SSD。
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