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ASML造出一台最强光刻机,最大客户还不想要
ASML造出一台最强光刻机,最大客户还不想要ASML造出一台最强光刻机,最大客户还不想要
图丨ASML 高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻机（来源：ASML）
买还是不买
正因为这次升级是进化而非革命，台积电算了一笔账：如果用现有的 low-NA EUV 机器加上多重曝光（multi-patterning）技术，再配合先进封装和背面供电等工艺创新，依然可以推进到 1.2nm 级别的工艺节点，那为什么要花 4 亿美元换一台新机器？
SemiAnalysis 的分析认为，台积电可能要到 2029 年至 2030 年的 1nm 级工艺节点 A10 才会真正需要 high-NA，因为在那之前，low-NA EUV 的双重曝光在成本上可能仍然低于 high-NA 的单次曝光。而且 high-NA 机器的体积远大于上一代，安装它意味着对晶圆厂的建筑结构做大幅改造。
相比之下，英特尔的选择截然不同。2024 年春天，300 名 ASML 工程师抵达俄勒冈州英特尔的晶圆厂，开始组装和测试全球第一台量产型 high-NA 机器。英特尔的光刻方案总监 Mark Phillips 不愿透露具体性能数据，但表示对设备健康状况的快速改善感到满意。
英特尔押注 high-NA 的逻辑也很简单：它在代工领域已经落后于 TSMC 和三星，需要一张差异化的牌来争夺客户。如果 high-NA 能让英特尔比竞争对手更快地实现单次曝光，就值得为此冒险。
三星则处于 TSMC 和 Intel 之间的位置。有报道称三星正在考虑购买新的 high-NA EUV 机器，试图在 2nm 工艺的竞争中缩小与英特尔的差距。
ASML 自己似乎并不慌张。即便台积电推迟了 high-NA 的采用，ASML 的 low-NA EUV 机器依然供不应求。ASML 的 CFO Roger Dassen 表示，公司 2026 年的目标是出货至少 60 台 low-NA EUV 系统，2027 年计划扩大到约 80 台。
以 ASML 每年通常只能生产 40 到 50 台 EUV 系统的产能来看，这已经是满负荷运转。2026 年一季度，ASML 的 EUV 系统净销售额超过 41 亿欧元，其中包含两台 high-NA 设备的收入。公司将 2026 年全年营收指引上调至 360 亿至 400 亿欧元。
不过，ASML 还有一个花多少钱都买不到 high-NA 的客户：中国。自 2019 年起，在美国施压下，荷兰政府禁止 ASML 向中国出售任何 EUV 光刻机。到 2024 年，限制进一步扩展到先进型号的 DUV 浸没式系统。即便如此，中国在 2025 年仍是 ASML 最大的单一市场，占销售额的 33%，买的全是不受限的中低端 DUV 设备。ASML 预计这一比例在 2026 年将降至 20%。
买不到 EUV，中国的现实策略是把手里的 DUV 推到极限。通过多重曝光，现有 DUV 设备理论上可以制造 7nm 甚至更先进的芯片，只是速度更慢、成本更高。与此同时，中国也在投入大量资源自研 EUV 技术，但 ASML 从 EUV 原型到第一台量产机用了十几年，其中蔡司供应的超精密光学系统至今没有第二个供应商能替代。
图丨高数值孔径（high-NA）光刻机光学系统中安装的一面反射镜（来源：蔡司）
ASML CEO Christophe Fouquet 在 2025 年 4 月曾表示，中国要开发出可行的 EUV 替代技术还需要“很多很多年”。Koch 判断称：中国会很乐意拥有一台每小时只能处理一片晶圆、运行成本极高的 EUV 机器，然后建一千台这样的机器，也心满意足。
中国之外，试图绕开 ASML 的还有另一批人。
Substrate 是一家总部位于旧金山的初创公司，成立四年。它不用 EUV 光，而是用粒子加速器产生的 X 射线来做光刻，波长可以低至 0.01 纳米，远短于 EUV 的 13.5 纳米。
2025 年 10 月，Substrate 完成了 1 亿美元融资，估值达到 10 亿美元，投资方包括 Peter Thiel 的 Founders Fund、General Catalyst，以及美国中情局下属的风险投资机构 In-Q-Tel。公司已经用原型机在 300mm 晶圆上制造出了 12 纳米关键尺寸的图案，并声称这一精度目前只有 ASML 的 high-NA 机器才能实现。
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好新闻没人评论怎么行，我来说几句
买还是不买
正因为这次升级是进化而非革命，台积电算了一笔账：如果用现有的 low-NA EUV 机器加上多重曝光（multi-patterning）技术，再配合先进封装和背面供电等工艺创新，依然可以推进到 1.2nm 级别的工艺节点，那为什么要花 4 亿美元换一台新机器？
SemiAnalysis 的分析认为，台积电可能要到 2029 年至 2030 年的 1nm 级工艺节点 A10 才会真正需要 high-NA，因为在那之前，low-NA EUV 的双重曝光在成本上可能仍然低于 high-NA 的单次曝光。而且 high-NA 机器的体积远大于上一代，安装它意味着对晶圆厂的建筑结构做大幅改造。
相比之下，英特尔的选择截然不同。2024 年春天，300 名 ASML 工程师抵达俄勒冈州英特尔的晶圆厂，开始组装和测试全球第一台量产型 high-NA 机器。英特尔的光刻方案总监 Mark Phillips 不愿透露具体性能数据，但表示对设备健康状况的快速改善感到满意。
英特尔押注 high-NA 的逻辑也很简单：它在代工领域已经落后于 TSMC 和三星，需要一张差异化的牌来争夺客户。如果 high-NA 能让英特尔比竞争对手更快地实现单次曝光，就值得为此冒险。
三星则处于 TSMC 和 Intel 之间的位置。有报道称三星正在考虑购买新的 high-NA EUV 机器，试图在 2nm 工艺的竞争中缩小与英特尔的差距。
ASML 自己似乎并不慌张。即便台积电推迟了 high-NA 的采用，ASML 的 low-NA EUV 机器依然供不应求。ASML 的 CFO Roger Dassen 表示，公司 2026 年的目标是出货至少 60 台 low-NA EUV 系统，2027 年计划扩大到约 80 台。
以 ASML 每年通常只能生产 40 到 50 台 EUV 系统的产能来看，这已经是满负荷运转。2026 年一季度，ASML 的 EUV 系统净销售额超过 41 亿欧元，其中包含两台 high-NA 设备的收入。公司将 2026 年全年营收指引上调至 360 亿至 400 亿欧元。
不过，ASML 还有一个花多少钱都买不到 high-NA 的客户：中国。自 2019 年起，在美国施压下，荷兰政府禁止 ASML 向中国出售任何 EUV 光刻机。到 2024 年，限制进一步扩展到先进型号的 DUV 浸没式系统。即便如此，中国在 2025 年仍是 ASML 最大的单一市场，占销售额的 33%，买的全是不受限的中低端 DUV 设备。ASML 预计这一比例在 2026 年将降至 20%。
买不到 EUV，中国的现实策略是把手里的 DUV 推到极限。通过多重曝光，现有 DUV 设备理论上可以制造 7nm 甚至更先进的芯片，只是速度更慢、成本更高。与此同时，中国也在投入大量资源自研 EUV 技术，但 ASML 从 EUV 原型到第一台量产机用了十几年，其中蔡司供应的超精密光学系统至今没有第二个供应商能替代。
图丨高数值孔径（high-NA）光刻机光学系统中安装的一面反射镜（来源：蔡司）
ASML CEO Christophe Fouquet 在 2025 年 4 月曾表示，中国要开发出可行的 EUV 替代技术还需要“很多很多年”。Koch 判断称：中国会很乐意拥有一台每小时只能处理一片晶圆、运行成本极高的 EUV 机器，然后建一千台这样的机器，也心满意足。
中国之外，试图绕开 ASML 的还有另一批人。
Substrate 是一家总部位于旧金山的初创公司，成立四年。它不用 EUV 光，而是用粒子加速器产生的 X 射线来做光刻，波长可以低至 0.01 纳米，远短于 EUV 的 13.5 纳米。
2025 年 10 月，Substrate 完成了 1 亿美元融资，估值达到 10 亿美元，投资方包括 Peter Thiel 的 Founders Fund、General Catalyst，以及美国中情局下属的风险投资机构 In-Q-Tel。公司已经用原型机在 300mm 晶圆上制造出了 12 纳米关键尺寸的图案，并声称这一精度目前只有 ASML 的 high-NA 机器才能实现。
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