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他带团队回国 要攻克"卡脖子"的半导体?
他带团队回国 要攻克"卡脖子"的半导体?他带团队回国 要攻克"卡脖子"的半导体?
此前，国内头部半导体设备企业核心负责人也曾劝达博回国：哪怕是关键方向性的行业信息，都可能帮国内省下几百万甚至几千万的研发成本——就像魔方，知道解法和盲目探索存在巨大差距。
家庭因素同样是促成这次归国的重要考量。孩子今年已经 8 岁，在日本长大的他，与中国文化的联结始终有限——这让他开始认真思考：孩子应该在更深厚的中国文化土壤中长大。
实际上在 NIMS 工作期间达博就意识到：一个人能做的事情有限，要把制造半导体设备这件事做到极致，一定要靠团队共同协作。因此，从 2016 年开始，他就开始将同门师兄弟通过人才引进的方式在 NIMS 组建团队，并且多年的协作与默契让他们建立了深厚的情谊。团队目标很明确：将中国的半导体装备材料和部件做到与国际相当的水平。“如果能达成这个目标，我觉得这辈子的奋斗就值了。”达博感叹道。
(来源：受访者)
在达博全职归国前，团队中已有部分成员先期回国，围绕电子光学相关方向开展工程化与产业化探索，并参与合肥国镜仪器科技有限公司等产业化平台建设。随着后续科研人员陆续回国，团队在基础研究、工程验证与产业协同等方面的能力进一步完善，开始形成“科研—工程—产业”相互支撑的发展模式。
谈及团队整建制回国，对此他感慨万千，并指出，优秀科研人员回国发展相对顺利，但优秀工程青年人才鲜少回国。原因在于科研人员可通过论文、奖项等直观评判，而工程人才的核心工作因涉密等原因大多不能公开发表，且关键技术单凭个人无法落地，需团队从研发到量产的全过程，评价周期长。
“这是领域面临的一个现实难题。即便是像我们这类配合默契的完整团队一起回国，也需要各方妥协让步，但好在我们有共同的奋斗目标。”达博表示。
不止于“国产替代”：从底层材料出发，为中国半导体装备铸魂
当下国内半导体装备产业规模正在逐步形成，但高校和科研层面的配套布局还不够明晰，未来亟需产学研深度融合发展。目前设备设计和整机集成国内已具备成熟能力，但关键的几种材料和核心部件仍未能实现自主制备，高度依赖日本引进。
实际上，国内的课题组并不缺丰硕的成果，但普遍缺少把单点实验室材料，转化为量产可替换核心部件的工程落地能力，这也是国内半导体装备国产化最大的现实短板。
在研发落地模式上，NIMS 一套整机替换验证的研发工艺极具借鉴价值。半导体产线无法停机配合新材料验证，要实现新材料规模化导入量产，必须先将材料做成标准化部件，放入和商用产线环境高度一致的整机设备中做替换测试，再经过长时间细节打磨，才能最终获得产线认可。这也是即便欧美拥有头部半导体设备企业，但全球半导体装备材料与部件供应链仍高度集中在日本的核心原因之一。
在先进制程推进路线上，国内暂未实现 EUV 光刻机产线商用落地，现阶段主要采用 DUV 多重多次曝光技术路线。但多重曝光会不断增加工艺流程，每新增一道工序都会带来芯片良率下滑。
国际厂商在电子束量检测中的抽检覆盖率要求相对宽松，而国内受多重曝光工艺影响，对检测覆盖范围要求大幅提高。这对国产电子束量检测设备的检测效率和先进制程适配能力，提出了更高标准。若能落地更高效率、更强适配能力的电子束量检测方案，可有效弥补无 EUV 工艺的短板，缓解芯片量产良率压力。
从技术迭代趋势看，2022 年起电子束量检测已从沿用近二十年的热场发射，转向冷场发射技术
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家庭因素同样是促成这次归国的重要考量。孩子今年已经 8 岁，在日本长大的他，与中国文化的联结始终有限——这让他开始认真思考：孩子应该在更深厚的中国文化土壤中长大。
实际上在 NIMS 工作期间达博就意识到：一个人能做的事情有限，要把制造半导体设备这件事做到极致，一定要靠团队共同协作。因此，从 2016 年开始，他就开始将同门师兄弟通过人才引进的方式在 NIMS 组建团队，并且多年的协作与默契让他们建立了深厚的情谊。团队目标很明确：将中国的半导体装备材料和部件做到与国际相当的水平。“如果能达成这个目标，我觉得这辈子的奋斗就值了。”达博感叹道。
(来源：受访者)
在达博全职归国前，团队中已有部分成员先期回国，围绕电子光学相关方向开展工程化与产业化探索，并参与合肥国镜仪器科技有限公司等产业化平台建设。随着后续科研人员陆续回国，团队在基础研究、工程验证与产业协同等方面的能力进一步完善，开始形成“科研—工程—产业”相互支撑的发展模式。
谈及团队整建制回国，对此他感慨万千，并指出，优秀科研人员回国发展相对顺利，但优秀工程青年人才鲜少回国。原因在于科研人员可通过论文、奖项等直观评判，而工程人才的核心工作因涉密等原因大多不能公开发表，且关键技术单凭个人无法落地，需团队从研发到量产的全过程，评价周期长。
“这是领域面临的一个现实难题。即便是像我们这类配合默契的完整团队一起回国，也需要各方妥协让步，但好在我们有共同的奋斗目标。”达博表示。
不止于“国产替代”：从底层材料出发，为中国半导体装备铸魂
当下国内半导体装备产业规模正在逐步形成，但高校和科研层面的配套布局还不够明晰，未来亟需产学研深度融合发展。目前设备设计和整机集成国内已具备成熟能力，但关键的几种材料和核心部件仍未能实现自主制备，高度依赖日本引进。
实际上，国内的课题组并不缺丰硕的成果，但普遍缺少把单点实验室材料，转化为量产可替换核心部件的工程落地能力，这也是国内半导体装备国产化最大的现实短板。
在研发落地模式上，NIMS 一套整机替换验证的研发工艺极具借鉴价值。半导体产线无法停机配合新材料验证，要实现新材料规模化导入量产，必须先将材料做成标准化部件，放入和商用产线环境高度一致的整机设备中做替换测试，再经过长时间细节打磨，才能最终获得产线认可。这也是即便欧美拥有头部半导体设备企业，但全球半导体装备材料与部件供应链仍高度集中在日本的核心原因之一。
在先进制程推进路线上，国内暂未实现 EUV 光刻机产线商用落地，现阶段主要采用 DUV 多重多次曝光技术路线。但多重曝光会不断增加工艺流程，每新增一道工序都会带来芯片良率下滑。
国际厂商在电子束量检测中的抽检覆盖率要求相对宽松，而国内受多重曝光工艺影响，对检测覆盖范围要求大幅提高。这对国产电子束量检测设备的检测效率和先进制程适配能力，提出了更高标准。若能落地更高效率、更强适配能力的电子束量检测方案，可有效弥补无 EUV 工艺的短板，缓解芯片量产良率压力。
从技术迭代趋势看，2022 年起电子束量检测已从沿用近二十年的热场发射，转向冷场发射技术
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