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他辭去海外終身職位 帶整建制團隊回國攻堅半導體
他辭去海外終身職位 帶整建制團隊回國攻堅半導體他辭去海外終身職位 帶整建制團隊回國攻堅半導體
圖丨日立財團倉田獎勵金視頻采訪（來源：日立財團官網）
憑借這壹開創性貢獻，達博在國際學術與產業界獲得高度認可。2026 年，他受邀成為日立財團倉田獎勵金唯壹外籍受訪學者，接受官方視頻專訪並獲重點推介——該獎項創辦於 1967 年、底蘊深厚且門檻嚴苛，受邀參與官方專訪者寥寥無幾 [5]。
在學術圈層，日本電子束領域泰斗、大阪大學名譽教授志水隆壹，更是對其高度認可，將他視作自身學術體系的傳承接班人。
整建制歸國：壹次提前押注
為了應對台積電等的苛刻要求，美國泛林集團（Lam Research）與 NIMS 強強聯手，攻關 3 nm 量產線中刻蝕設備中與等離子體接觸的關鍵材料與核心部件。而達博是這壹聯合研究項目的負責人。
多年來，達博長期主導先進制程刻蝕設備、電子束量檢測設備的關鍵材料與核心部件領域。當前國內正處在從成熟制程向先進制程跨越的關鍵時期，中微半導體、北方華創等企業已在刻蝕設備領域取得不俗進展，但刻蝕設備底層關鍵材料與核心部件仍存在短板；相較之下，高端電子束量檢測設備的國產化整機能力更是基本處於空白狀態，亟待依靠底層材料與核心部件的自主創新實現破局。
此前，國內頭部半導體設備企業核心負責人也曾勸達博回國：哪怕是關鍵方向性的行業信息，都可能幫國內省下幾百萬甚至幾千萬的研發成本——就像魔方，知道解法和盲目探索存在巨大差距。
家庭因素同樣是促成這次歸國的重要考量。孩子今年已經 8 歲，在日本長大的他，與中國文化的聯結始終有限——這讓他開始認真思考：孩子應該在更深厚的中國文化土壤中長大。
實際上在 NIMS 工作期間達博就意識到：壹個人能做的事情有限，要把制造半導體設備這件事做到極致，壹定要靠團隊共同協作。因此，從 2016 年開始，他就開始將同門師兄弟通過人才引進的方式在 NIMS 組建團隊，並且多年的協作與默契讓他們建立了深厚的情誼。團隊目標很明確：將中國的半導體裝備材料和部件做到與國際相當的水平。“如果能達成這個目標，我覺得這輩子的奮斗就值了。”達博感歎道。
（來源：受訪者）
在達博全職歸國前，團隊中已有部分成員先期回國，圍繞電子光學相關方向開展工程化與產業化探索，並參與合肥國鏡儀器科技有限公司等產業化平台建設。隨著後續科研人員陸續回國，團隊在基礎研究、工程驗證與產業協同等方面的能力進壹步完善，開始形成“科研—工程—產業”相互支撐的發展模式。
談及團隊整建制回國，對此他感慨萬千，並指出，優秀科研人員回國發展相對順利，但優秀工程青年人才鮮少回國。原因在於科研人員可通過論文、獎項等直觀評判，而工程人才的核心工作因涉密等原因大多不能公開發表，且關鍵技術單憑個人無法落地，需團隊從研發到量產的全過程，評價周期長。
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