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終於承認了,叁星前高層自爆致命短板 | 溫哥華教育中心
   

[叁星] 終於承認了,叁星前高層自爆致命短板

受惠AI資料中心與高頻寬記憶體(HBM)需求暴增,近期韓國記憶體產業迎來近年最強的復蘇行情,推動叁星電子與SK海力士業績明顯回暖,市場再度將DRAM與NAND視為AI時代核心受惠產業。不過,叁星電子前半導體部門總裁慶桂顯在肯定韓國記憶體產業成就的同時,也直接點出韓國半導體的結構性短板。


他表示,韓國雖然在DRAM市場擁有明顯優勢,但在芯片設計(Fabless)領域的全球占比僅約1.5%,與台灣形成鮮明對比。台灣不僅擁有台積電這類晶圓代工龍頭,更建立起從IC設計、制造、封測到設備與材料的完整半導體生態系;反觀韓國,仍高度依賴記憶體與少數大型企業,缺乏真正完整的“半導體生態系”產業結構。

慶桂顯認為,韓國若想在下壹輪AI半導體競爭中守住地位,不能只停留在記憶體強國定位,而必須進壹步轉型為深科技(Deep Tech)制造國家。除了守住DRAM與NAND優勢外,需要在系統半導體、自主AI(Sovereign AI)等領域建立獨立能力,並將AI真正導入制造業,形成新的產業護城河。

據報道,韓國首爾5月18日舉行的韓國工程院(NAEK)第285屆論壇上,慶桂顯指出,全球記憶體芯片景氣雖在AI浪潮帶動下強勁復蘇,但這波榮景未必能壹路延續,主要受中國企業大幅擴產影響,全球記憶體供給最快將在明年下半年急劇增加,屆時價格可能開始反轉下跌。

根據韓國《證券日報》報道,慶桂顯曾任叁星電子代表理事、半導體DS部門總裁,他在會上直言,市場不能只看到AI需求帶來的短期繁榮,更要提防供給端快速擴張後引發的價格壓力。他更示警,倘若大型科技公司AI資本開支回報率不如預期,2028年後,記憶體需求本身甚至可能面臨萎縮風險。

慶桂顯表示,中國企業正在積極擴充產能,隨著明年下半年記憶體供給急速增加,市場供需結構可能出現轉變;即使變化沒有立刻發生,最晚到2028年上半年也可能浮現。他並引用多家全球市場研究機構數據指出,全球記憶體產能快速擴張,最直接的結果就是價格承壓。

慶桂顯進壹步指出,目前記憶體需求的最大推力來自AI資料中心建設,全球大型科技公司持續投入巨額資本支出,采購AI伺服器、擴建算力基礎設施,也同步拉動DRAM與高階記憶體需求。

但這套成長邏輯存在壹個關鍵前提:AI投資必須真的帶來足夠回報。倘若大型科技公司的資本開支回報率開始下滑,企業可能削減投資,壹旦AI基礎設施建設踩下煞車,2028年後記憶體市場面臨的就不只是價格下跌,而是需求本身降溫。


他坦言,韓國面對的競爭現實並不輕松,要在硬體與軟體兩端同時與美國、中國競爭非常困難。真正重要的是,韓國必須認清自己最擅長的領域,並認真思考如何把AI導入既有制造優勢,否則即使記憶體仍是全球強項,也可能在AI時代的半導體新賽局中逐漸失去主導權。



(歐新社資料照片)

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