雷大雨小幌虚招 中国芯片困窘途?

此外,财经媒体分析指出,这种由“外行人”建立的芯片项目,往往夸大技术宣称和产出数据,实际上与全球先进制程存在巨大差距,使得投资者与地方政府成为最大的受害者:巨额投入可能化为泡影。




韩国检方起诉包括三星电子前高管,与研发人员在内多名人士,指控他们非法泄露技术给中国长鑫存储。 (美联社资料照)

偷技术是中国惯用技俩

《南华早报》报道表示,为了遏止这类资金浪潮中的不当行为,中国证券监管机构曾对个别半导体相关企业的财报提出异议,然而,业界分析指出,尽管监管加强,但诈骗性投资风险仍然存在,尤其是在政府补贴庞大、地方竞争激烈的情况下。

与以上投资诈骗风险并行的是另一类挑战:技术外泄与竞争风险。 韩国检方近日起诉包括三星电子前高阶主管,与研发人员在内多名人士,指控他们将三星开发的10纳米级动态随机存取存储器(DRAM)核心制程技术,非法泄露给中国存储器企业长鑫存储。

这类案件并非首起。 早前亦有报道指出,韩国SK海力士曾有中国籍员工,因涉嫌向华为等中国企业泄漏内部技术文件而被起诉。 这类事件突显一个现象:在中国与外国企业互动频繁、资金与人力流动扩大之下,产业竞争与投资热潮不仅可能带来经济机会,也伴随着知识产权风险与资金安全问题。




中国半导体投资雄心勃勃。 (路透数据照)

综合外媒观察,中国半导体投资虽雄心勃勃,但从EUV光刻机原型到过去弘芯、泉芯等案例显示,高额投入与技术基础不足之间存在显著落差。 《南华早报》指出,中国部分半导体项目因技术基础不足与管理经验缺失,导致资金快速消耗、项目停摆,甚至引发投资泡沫与吸金风险。

随着全球半导体竞争加剧,《路透》就指出,中国在高端制程与核心设备上的技术落差与投资风险,仍是国际关注焦点。 专家认为,唯有真正掌握技术自主、建立完善的监管与风险控管机制,才能在国际市场中保持竞争力。

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