新聞 
中國EUV曼哈頓計劃 專家爆料:僅有光源
中國EUV曼哈頓計劃 專家爆料:僅有光源中國EUV曼哈頓計劃 專家爆料:僅有光源
中國傳出突破技術門檻打造出極紫外光（EUV）微影設備原型機，被視為中國版“曼哈頓計劃”，引起半導體業震撼。 不過，業界專家認為，這只是透過抄襲、復制邁出追趕技術的第壹步，能否造出可量產EUV微影設備還有待觀察，大家可“持續關注”，但對此“無須過度緊張”，何況，ASML、台積電等領先者會繼續向前沖，繼續維持領先地位。
僅EUV光源無須過度緊張
半導體專家指出，中國EUV技術突破，嚴格來講，僅限於能產生EUV光源，並非完整機台，也就是說能成功“打出EUV的光束”，但這不等於制造出完整的EUV微影設備。 技術是利用激光和錫滴（laser-produced plasma）產生符合EUV等級波長的光源，這是目前ASML用於先進半導體制程的核心技術，以維持摩爾定律的持續。
專家推估，相較於ASML從零開始研發微影設備到可量產，共花費18年，中國透過挖角、抄襲和傾全國之力，宣稱打造原型機，這只是踏出整個復雜系統中的“第壹步”，短期內對產業沒有影響，但也代表壹個關鍵的技術突破口，不可小覷，需要持續關注其進展。 從長期來看，估計研發時程可能在6年到10年，中國有機會制造出可進入生產的EUV微影設備機台，屆時將能生產3納米及以下的先進制程芯片。
中處於追趕 非顛覆式創新
從沖擊半導體影響層面分析，專家認為，真正的威脅來自顛覆性的創新技術，中國處於“追趕”階段，並非“顛覆式創新”。 他強調，只要中國沿襲現有EUV技術路徑進行追趕，並非“彎道超車”，歐美及台灣等自由世界的半導體業就不需過度恐慌，因為追趕的路徑是已知的、可控的，領先者可以持續創新，甚至透過“陷阱”誤導復制者，都可維持優勢。
專家認為，中國的體制傾向於將資源集中在已有突破的“追趕型”技術上，這會吸走原本可能用於真正顛覆式創新的資源。 中國打造出EUV光刻設備原型機，也循著抄襲+工程優化模式，凸顯中國在科學層面的原創性較弱。
專家並指出，AI對半導體未來格局將有巨大變化，中國在EUV技術上取得初步突破，掌握產生光源的技術，但距離制造可商用的完整EUV微影設備機台仍有非常遙遠的距離，大家可“持續關注”，但對此“無需過度緊張”，因未來6-10年之間，自由世界的科技會繼續進步，ASML、台積電等領先者會不斷向前沖，持續創新以維持領先地位。
中國EUV曼哈頓計劃，台美專家踢爆真相。 （路透）
中芯7納米透過DUV偷吃步
外媒日前報道，在深圳壹座高度戒備的實驗室內，中國科學家已打造出EUV微影設備原型機，目前正進行測試中，體積幾乎占滿整個工廠樓層，這項設備是曾任職ASML的工程師團隊打造，透過逆向工程仿制ASML的EUV，這項計劃堪稱中國版“曼哈頓計劃”，猶如美國於世界第贰次大戰時期研發原子彈的機密工程。 全球僅ASML生產EUV微影設備，每台價格高達數億美元，是生產先進制程不可或缺的關鍵設備，地緣政治阻力，ASML被禁售EUV微影設備給中國，中國僅能透過深紫外光（DUV）設備生產成熟制程的芯片、或多重曝光生產5或7納米制程芯片。
[物價飛漲的時候 這樣省錢購物很爽]
這條新聞還沒有人評論喔，等著您的高見呢
僅EUV光源無須過度緊張
半導體專家指出，中國EUV技術突破，嚴格來講，僅限於能產生EUV光源，並非完整機台，也就是說能成功“打出EUV的光束”，但這不等於制造出完整的EUV微影設備。 技術是利用激光和錫滴（laser-produced plasma）產生符合EUV等級波長的光源，這是目前ASML用於先進半導體制程的核心技術，以維持摩爾定律的持續。
專家推估，相較於ASML從零開始研發微影設備到可量產，共花費18年，中國透過挖角、抄襲和傾全國之力，宣稱打造原型機，這只是踏出整個復雜系統中的“第壹步”，短期內對產業沒有影響，但也代表壹個關鍵的技術突破口，不可小覷，需要持續關注其進展。 從長期來看，估計研發時程可能在6年到10年，中國有機會制造出可進入生產的EUV微影設備機台，屆時將能生產3納米及以下的先進制程芯片。
中處於追趕 非顛覆式創新
從沖擊半導體影響層面分析，專家認為，真正的威脅來自顛覆性的創新技術，中國處於“追趕”階段，並非“顛覆式創新”。 他強調，只要中國沿襲現有EUV技術路徑進行追趕，並非“彎道超車”，歐美及台灣等自由世界的半導體業就不需過度恐慌，因為追趕的路徑是已知的、可控的，領先者可以持續創新，甚至透過“陷阱”誤導復制者，都可維持優勢。
專家認為，中國的體制傾向於將資源集中在已有突破的“追趕型”技術上，這會吸走原本可能用於真正顛覆式創新的資源。 中國打造出EUV光刻設備原型機，也循著抄襲+工程優化模式，凸顯中國在科學層面的原創性較弱。
專家並指出，AI對半導體未來格局將有巨大變化，中國在EUV技術上取得初步突破，掌握產生光源的技術，但距離制造可商用的完整EUV微影設備機台仍有非常遙遠的距離，大家可“持續關注”，但對此“無需過度緊張”，因未來6-10年之間，自由世界的科技會繼續進步，ASML、台積電等領先者會不斷向前沖，持續創新以維持領先地位。
中國EUV曼哈頓計劃，台美專家踢爆真相。 （路透）
中芯7納米透過DUV偷吃步
外媒日前報道，在深圳壹座高度戒備的實驗室內，中國科學家已打造出EUV微影設備原型機，目前正進行測試中，體積幾乎占滿整個工廠樓層，這項設備是曾任職ASML的工程師團隊打造，透過逆向工程仿制ASML的EUV，這項計劃堪稱中國版“曼哈頓計劃”，猶如美國於世界第贰次大戰時期研發原子彈的機密工程。 全球僅ASML生產EUV微影設備，每台價格高達數億美元，是生產先進制程不可或缺的關鍵設備，地緣政治阻力，ASML被禁售EUV微影設備給中國，中國僅能透過深紫外光（DUV）設備生產成熟制程的芯片、或多重曝光生產5或7納米制程芯片。
[物價飛漲的時候 這樣省錢購物很爽]
| 分享: |
| 注： |
推薦: