[叁星] DRAM技術外流中國長鑫 韓起訴前叁星員工等10人
韓國檢方今天表示，包含前叁星電子員工在內，有10人因涉嫌將叁星的國家核心技術泄漏給中國內存芯片制造商長鑫存儲而遭到起訴。
韓國“中央日報”報導，遭竊技術是由叁星電子（Samsung Electronics）率先研發，外流後據信幫助長鑫存儲（CXMT）成為中國首間及全球第4家量產10奈米級動態隨機存取內存（DRAM）的公司，這對韓國經濟造成的損失據估至少達數拾兆韓元。
首爾中央地方檢察官辦公室指出，檢方已起訴包括前叁星電子員工在內的5人，他們被指控違反“不當競爭防止暨營業秘密保護法”和“防止產業技術外流暨產業技術保護法”，並遭到羈押。
另外5人也因相同罪名遭到起訴，不過未受羈押，其中部分人士為長鑫存儲的研發團隊成員。
長鑫存儲在地方政府跟半導體設計公司合資下於2016年成立，是中國首間及唯壹的DRAM半導體企業。根據韓國檢方，長鑫存儲創立後不久，便延攬壹名前叁星電子部門主管帶領其首支研發團隊。
在2016年9月左右，這名前叁星電子部門主管及其他人據控透過另壹名已跳槽至長鑫存儲的前叁星員工，取得叁星18奈米DRAM制程技術；該技術被韓國列為國家核心技術與營業秘密。
這項技術當時是全球唯壹的10奈米級DRAM制程，由叁星投入5年時間研究、投資1兆6000億韓元才研發而成。
韓國檢方提到，長鑫存儲無塵室技術人員2020年6月透過SK海力士公司（SK Hynix）其中壹間承包商，也自SK海力士非法取得另壹項國家核心DRAM制程技術。
長鑫存儲取得叁星電子與SK海力士的關鍵半導體技術後，最終於2023年成功量產10奈米級DRAM。
根據全球市占率變化，韓國檢方估計叁星電子的營收損失光去年可能就高達5兆韓元。
韓國檢方談到：“鑒於國內半導體產業占總體出口20.8%的規模，（DRAM關鍵技術外流）對國家經濟造成的損失據估至少達數拾兆韓元。”
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韓國“中央日報”報導，遭竊技術是由叁星電子（Samsung Electronics）率先研發，外流後據信幫助長鑫存儲（CXMT）成為中國首間及全球第4家量產10奈米級動態隨機存取內存（DRAM）的公司，這對韓國經濟造成的損失據估至少達數拾兆韓元。
首爾中央地方檢察官辦公室指出，檢方已起訴包括前叁星電子員工在內的5人，他們被指控違反“不當競爭防止暨營業秘密保護法”和“防止產業技術外流暨產業技術保護法”，並遭到羈押。
另外5人也因相同罪名遭到起訴，不過未受羈押，其中部分人士為長鑫存儲的研發團隊成員。
長鑫存儲在地方政府跟半導體設計公司合資下於2016年成立，是中國首間及唯壹的DRAM半導體企業。根據韓國檢方，長鑫存儲創立後不久，便延攬壹名前叁星電子部門主管帶領其首支研發團隊。
在2016年9月左右，這名前叁星電子部門主管及其他人據控透過另壹名已跳槽至長鑫存儲的前叁星員工，取得叁星18奈米DRAM制程技術；該技術被韓國列為國家核心技術與營業秘密。
這項技術當時是全球唯壹的10奈米級DRAM制程，由叁星投入5年時間研究、投資1兆6000億韓元才研發而成。
韓國檢方提到，長鑫存儲無塵室技術人員2020年6月透過SK海力士公司（SK Hynix）其中壹間承包商，也自SK海力士非法取得另壹項國家核心DRAM制程技術。
長鑫存儲取得叁星電子與SK海力士的關鍵半導體技術後，最終於2023年成功量產10奈米級DRAM。
根據全球市占率變化，韓國檢方估計叁星電子的營收損失光去年可能就高達5兆韓元。
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