他帶團隊回國 要攻克"卡脖子"的半導體?
此前，國內頭部半導體設備企業核心負責人也曾勸達博回國：哪怕是關鍵方向性的行業信息，都可能幫國內省下幾百萬甚至幾千萬的研發成本——就像魔方，知道解法和盲目探索存在巨大差距。
家庭因素同樣是促成這次歸國的重要考量。孩子今年已經 8 歲，在日本長大的他，與中國文化的聯結始終有限——這讓他開始認真思考：孩子應該在更深厚的中國文化土壤中長大。
實際上在 NIMS 工作期間達博就意識到：壹個人能做的事情有限，要把制造半導體設備這件事做到極致，壹定要靠團隊共同協作。因此，從 2016 年開始，他就開始將同門師兄弟通過人才引進的方式在 NIMS 組建團隊，並且多年的協作與默契讓他們建立了深厚的情誼。團隊目標很明確：將中國的半導體裝備材料和部件做到與國際相當的水平。“如果能達成這個目標，我覺得這輩子的奮斗就值了。”達博感歎道。
(來源：受訪者)
在達博全職歸國前，團隊中已有部分成員先期回國，圍繞電子光學相關方向開展工程化與產業化探索，並參與合肥國鏡儀器科技有限公司等產業化平台建設。隨著後續科研人員陸續回國，團隊在基礎研究、工程驗證與產業協同等方面的能力進壹步完善，開始形成“科研—工程—產業”相互支撐的發展模式。
談及團隊整建制回國，對此他感慨萬千，並指出，優秀科研人員回國發展相對順利，但優秀工程青年人才鮮少回國。原因在於科研人員可通過論文、獎項等直觀評判，而工程人才的核心工作因涉密等原因大多不能公開發表，且關鍵技術單憑個人無法落地，需團隊從研發到量產的全過程，評價周期長。
“這是領域面臨的壹個現實難題。即便是像我們這類配合默契的完整團隊壹起回國，也需要各方妥協讓步，但好在我們有共同的奮斗目標。”達博表示。
不止於“國產替代”：從底層材料出發，為中國半導體裝備鑄魂
當下國內半導體裝備產業規模正在逐步形成，但高校和科研層面的配套布局還不夠明晰，未來亟需產學研深度融合發展。目前設備設計和整機集成國內已具備成熟能力，但關鍵的幾種材料和核心部件仍未能實現自主制備，高度依賴日本引進。
實際上，國內的課題組並不缺豐碩的成果，但普遍缺少把單點實驗室材料，轉化為量產可替換核心部件的工程落地能力，這也是國內半導體裝備國產化最大的現實短板。
在研發落地模式上，NIMS 壹套整機替換驗證的研發工藝極具借鑒價值。半導體產線無法停機配合新材料驗證，要實現新材料規模化導入量產，必須先將材料做成標准化部件，放入和商用產線環境高度壹致的整機設備中做替換測試，再經過長時間細節打磨，才能最終獲得產線認可。這也是即便歐美擁有頭部半導體設備企業，但全球半導體裝備材料與部件供應鏈仍高度集中在日本的核心原因之壹。
在先進制程推進路線上，國內暫未實現 EUV 光刻機產線商用落地，現階段主要采用 DUV 多重多次曝光技術路線。但多重曝光會不斷增加工藝流程，每新增壹道工序都會帶來芯片良率下滑。
國際廠商在電子束量檢測中的抽檢覆蓋率要求相對寬松，而國內受多重曝光工藝影響，對檢測覆蓋范圍要求大幅提高。這對國產電子束量檢測設備的檢測效率和先進制程適配能力，提出了更高標准。若能落地更高效率、更強適配能力的電子束量檢測方案，可有效彌補無 EUV 工藝的短板，緩解芯片量產良率壓力。
從技術迭代趨勢看，2022 年起電子束量檢測已從沿用近贰拾年的熱場發射，轉向冷場發射技術
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家庭因素同樣是促成這次歸國的重要考量。孩子今年已經 8 歲，在日本長大的他，與中國文化的聯結始終有限——這讓他開始認真思考：孩子應該在更深厚的中國文化土壤中長大。
實際上在 NIMS 工作期間達博就意識到：壹個人能做的事情有限，要把制造半導體設備這件事做到極致，壹定要靠團隊共同協作。因此，從 2016 年開始，他就開始將同門師兄弟通過人才引進的方式在 NIMS 組建團隊，並且多年的協作與默契讓他們建立了深厚的情誼。團隊目標很明確：將中國的半導體裝備材料和部件做到與國際相當的水平。“如果能達成這個目標，我覺得這輩子的奮斗就值了。”達博感歎道。
(來源：受訪者)
在達博全職歸國前，團隊中已有部分成員先期回國，圍繞電子光學相關方向開展工程化與產業化探索，並參與合肥國鏡儀器科技有限公司等產業化平台建設。隨著後續科研人員陸續回國，團隊在基礎研究、工程驗證與產業協同等方面的能力進壹步完善，開始形成“科研—工程—產業”相互支撐的發展模式。
談及團隊整建制回國，對此他感慨萬千，並指出，優秀科研人員回國發展相對順利，但優秀工程青年人才鮮少回國。原因在於科研人員可通過論文、獎項等直觀評判，而工程人才的核心工作因涉密等原因大多不能公開發表，且關鍵技術單憑個人無法落地，需團隊從研發到量產的全過程，評價周期長。
“這是領域面臨的壹個現實難題。即便是像我們這類配合默契的完整團隊壹起回國，也需要各方妥協讓步，但好在我們有共同的奮斗目標。”達博表示。
不止於“國產替代”：從底層材料出發，為中國半導體裝備鑄魂
當下國內半導體裝備產業規模正在逐步形成，但高校和科研層面的配套布局還不夠明晰，未來亟需產學研深度融合發展。目前設備設計和整機集成國內已具備成熟能力，但關鍵的幾種材料和核心部件仍未能實現自主制備，高度依賴日本引進。
實際上，國內的課題組並不缺豐碩的成果，但普遍缺少把單點實驗室材料，轉化為量產可替換核心部件的工程落地能力，這也是國內半導體裝備國產化最大的現實短板。
在研發落地模式上，NIMS 壹套整機替換驗證的研發工藝極具借鑒價值。半導體產線無法停機配合新材料驗證，要實現新材料規模化導入量產，必須先將材料做成標准化部件，放入和商用產線環境高度壹致的整機設備中做替換測試，再經過長時間細節打磨，才能最終獲得產線認可。這也是即便歐美擁有頭部半導體設備企業，但全球半導體裝備材料與部件供應鏈仍高度集中在日本的核心原因之壹。
在先進制程推進路線上，國內暫未實現 EUV 光刻機產線商用落地，現階段主要采用 DUV 多重多次曝光技術路線。但多重曝光會不斷增加工藝流程，每新增壹道工序都會帶來芯片良率下滑。
國際廠商在電子束量檢測中的抽檢覆蓋率要求相對寬松，而國內受多重曝光工藝影響，對檢測覆蓋范圍要求大幅提高。這對國產電子束量檢測設備的檢測效率和先進制程適配能力，提出了更高標准。若能落地更高效率、更強適配能力的電子束量檢測方案，可有效彌補無 EUV 工藝的短板，緩解芯片量產良率壓力。
從技術迭代趨勢看，2022 年起電子束量檢測已從沿用近贰拾年的熱場發射，轉向冷場發射技術
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